- 2026年7月1日至3日，功率系统与物联网半导体企业英飞凌，将亮相2026慕尼黑上海电子展，展出微控制器、车用半导体、功率半导体、传感器等全线最新产品。本次参展内容围绕人工智能、机器人、软件定义汽车、电动出行、能源基础设施、物联网安全六大应用领域，全面展示技术布局与创新成果，体现半导体技术对产业升级、绿色可持续发展的赋能作用。在落地前沿技术、拓展多场景应用的同时，英飞凌持续深耕绿色能源赛道，依托碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体技术，助力全球能源低碳转型，本次展会也重点展出多项能源领域核心技术方案。核心亮点一：
- 关键字：
英飞凌
宽禁带半导体
- 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体关键价值在于用更高效率重构用电成本结构，相较传统硅器件，其在高压、高频场景下显著降低能量损耗，使新能源汽车、电源系统和工业控制的整体效率提升，从而带来续航提升、设备小型化以及长期运营成本下降。这不仅是单一器件升级，而是带动整机性能跃迁，进而形成溢价能力。例如在电动车和数据中心中，能效提升直接转化为更低能耗和更强竞争力，推动终端厂商愿意为高性能器件支付更高价格。同时，产业链各环节（材料、器件、模块）附加值显著高于传统硅，带来新的利润增长点。更重要的是，宽禁带半导体具备较高
- 关键字：
宽禁带半导体
202605
- 受电气化趋势与下一代电网需求驱动，全球固态变压器（SST）市场正进入加速增长期。据 MarketsandMarkets 最新报告预测，该市场规模将从 2030 年的2.8 亿美元，飙升至 2035 年的15.2 亿美元。这一趋势凸显出先进电力电子技术在现代能源系统中日益重要的地位，同时也标志着宽禁带半导体在实现更高效率与紧凑型设计方面的作用持续提升。电网现代化与电动汽车基础设施拉动需求研究机构指出，固态变压器市场的增长与电网现代化投资、可再生能源并网以及交通电气化紧密相关。相比传统变压器，固态变压器具备双
- 关键字：
电网
电气化
固态变压器
宽禁带半导体
- 宽禁带半导体，尤其是氮化镓 （GaN） 和碳化硅 （SiC），正在彻底改变电力电子领域。这些材料具有更高的效率、更快的开关和紧凑的设计，对于满足电动汽车 （EV）、超快速充电基础设施和可再生能源系统不断增长的需求至关重要。本文探讨了氮化镓和碳化硅器件的业务繁荣，研究了市场驱动因素、主要参与者，以及这种技术转变如何重塑全球半导体战略和供应链。为未来提供动力，超越硅几十年来，硅一直是半导体行业的基石。但电气化、移动化和可持续发展的时代需要更高效、更紧凑的高压电源解决方案，而传统硅则难以应对这些挑战。进入宽禁带
- 关键字：
宽禁带半导体
- 2025年全球宽禁带（WBG）半导体市场规模预计为24.4亿美元，预计到2034年将达到84.2亿美元左右，2025年至2034年复合年增长率为14.74%。到 2024 年，北美市场规模将超过 9.8 亿美元，并在预测期内以 14.87% 的复合年增长率扩张。市场规模和预测基于收入（百万美元/十亿美元），以 2024 年为基准年。2024年全球宽禁带（WBG）半导体市场规模为21.3亿美元，预计将从2025年的24.4亿美元增加到2034年的约84.2亿美元，2025年至2034年复合年增长率为14.7
- 关键字：
宽禁带半导体
WBG
- ● 无需焊接或探针，即可轻松准确地测量宽禁带功率半导体裸片的动态特性● 是德科技夹具可在不损坏裸片的情况下实现快速、重复测试● 寄生功率回路电感小于10nH，实现干净的动态测试波形是德科技在宽禁带半导体裸片上实现动态测试是德科技增强了其双脉冲测试产品组合，使客户能够从宽禁带（WBG）功率半导体裸芯片的动态特性的精确和轻松测量中受益。在测量夹具中实施新技术最大限度地减少了寄生效应，并且不需要焊接到裸芯片上。这些夹具与是德科技的两个版本的
- 关键字：
是德科技
宽禁带半导体
裸片
动态测试
- 禁带宽度和电场强度越高，器件越不容易被击穿，耐压可以更高；热导率和熔点越高，器件越容易散热，也更容易耐高温；电子迁移率越高，器件的开关速度也就越快，因此可以做高频器件。不难看出，SiC和GaN器件在高温、高压、高频应用领域的显著优势。半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高
- 关键字：
宽禁带半导体
- 力科近日宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高压光隔离探头和功率器件测试软件，与高精度示波器 (HDO) 结合使用时，可提供最准确的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半导体器件的电气特性表征。三十多年来，工程师们一直在使用硅 (Si) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 功率半导体器件来生产电源和功率转换系统。然而，消费者需要体积更小、重量更轻的电源和系统，而政府要求更高的效率。宽禁带 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，开关速度比 Si
- 关键字：
力科
宽禁带半导体
- 英飞凌将显著扩大宽禁带（碳化硅和氮化镓）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。公司将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。
此次扩建是英飞凌根据公司半导体生产制造长期战略而做出的决策，居林工厂在200毫米晶圆生产方面所取得的规模经济效应为该项目打下了良好的基础。英飞凌位于菲拉赫和德累斯顿的300毫米晶圆厂奠定了公司在半导体市场的领导
- 关键字：
英飞凌
宽禁带半导体
产能
- 据看看新闻网报道，目前，英诺赛科（苏州）半导体有限公司项目主体施工已经完成。资料显示，英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币，注册资本20亿元，占地368.6亩，主要建设从器件设计，驱动IC设计开发，材料制造，器件制备，后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。据规划，项目开工后两年内投产，投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标，年销售收入约
- 关键字：
英诺赛科
宽禁带半导体
- 宽禁带半导体材料也被称为第三代半导体材料(一代和二代分别为硅、锗)，其带隙大于或等于2.3 eV。宽禁带半导体材料一般具有电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好等特点，受到了研究者广泛研究。传统的宽禁带半导体有SiC、GaN、ZnO和Ga2O3等，以及其他II-VI组化合物材料。这类宽禁带材料具有短波吸收、高击穿电压等特点，因此在发光二极管(LEDs)与激光二极管(LDs)领域具有巨大的应用前景。此外，随着近些年太阳能电池(SCs)的迅猛发展，宽禁带半导体材料开始在太阳能电池领域发挥重要作用。比如
- 关键字：
宽禁带半导体
- 第一代半导体材料是元素半导体的天下，第一代半导体材料是化合物半导体材料，然而随着半导体器件应用领域的不断扩大，特别是特殊场合要求半导体能够在高温、强辐射、大功率等环境下依然坚挺，第一、二代半导体材料便无能为力，于是赋予使命的第三代半导体材料——宽禁带半导体材料诞生了。
- 关键字：
宽禁带半导体
SiC
- 现代电子产品的基础是半导体器件，因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能，所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件。最开始时，人们对这些物质并不感兴趣，后来才发现半导体的独特性能，有导体和绝缘体不可替代的优势。最常见的半导体器件是二极管，其他所有的半导体器件都是建立在此基础之上的。 原子结构和半导体器件 导体之所以导电是因为其内部有容易活动的自由电子，自由电子在电场的作用下开始运动，这个运动就是电流。物质都是由原子组成，每个原子都由原子核和绕在其外面的轨道的自由电子组成，一般从外
- 关键字：
相控阵雷达
宽禁带半导体
- 报告起因
国内上市公司纷纷涉足宽禁带半导体,我们从三大维度看好:实现国家战略层面的弯道超车:半导体行业实现技术升级以及股票层面将形成板块效应,我们此前的三安光电报告是市场第一篇详细描述化合物半导体的深度报告。此行业报告也是市场上领先的深度梳理宽禁带半导体行业的报告。
核心观点
宽禁带半导体材料性能突出,有望替代Si 基半导体:电和光的转化性能突出,在微波信号传输方面的效率更高,可被广泛应用到照明、显示、通讯等各个领域。
碳化硅将在功率器件领域快速发展,市场空间上百亿美元:1)S
- 关键字：
宽禁带半导体
宽禁带半导体介绍
固体中电子的能量具有不连续的量值，电子都分布在一些相互之间不连续的能带上。价电子所在能带与自由电子所在能带之间的间隙称为禁带或带隙。所以禁带的宽度实际上反映了被束缚的价电子要成为自由电子所必须额外获得的能量。硅的禁带宽度为1.12电子伏特(eV)，而宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料。宽禁带半导体材料是被称为第三代半 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
