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安森美 文章 进入安森美技术社区

安森美将在德国国际嵌入式展(Embedded World)展示可持续的创新

  • 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi),将在德国国际嵌入式展(Embedded World)展示其最新的可持续创新技术。Embedded World是开发人员、系统架构师、产品经理和技术管理人员必到的行业盛会,将于2023年3月14日至16日在德国纽伦堡展览中心举行,安森美的展台位于4A馆260号展位。今年Embedded World以“嵌入式、负责任和可持续(embedded, responsible and sustainable)”为主题,其理念与安森美高度契合。安森美的展台将分为5大
  • 关键字: 安森美  国际嵌入式展  Embedded World  

设计高效电动车快速直流充电桩方案,您需要这样一份文档!

  • 汽车市场正在经历一场变革,随着电动汽车(EV)采用率的迅速增加,销售预测数据也在不断上调。电动汽车虽然只占整个市场的一小部分,但据预测,2025年售出的电动汽车将达到1000万辆,到2050年,所有售出的汽车中超过50%是电动汽车。xEV车辆的增长和充电基础设施的需求正在加速,在xEV应用中,系统层面涉及主逆变器和发电机、升压转换器、DC-DC转换器、车载充电器;器件封装类型包括分立式、电源模块;功率器件种类有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT(双极晶体管)、碳化硅(SiC)MOSFET和氮化镓(GaN
  • 关键字: 安森美  充电桩  

基于安森美 FSL4110在 E-meter电源管理中的应用方案

  • 电力行业是关系国计民生的基础能源产业。 随著全球经济的稳步发展及人民生活水准的逐步提高,各国对电力的需求急速增加,要求各国持续加大电力基础设施投资力度,从而带动电网建设。在新能源技术、 智能技术、资讯技术、网路技术不断创新突破的条件下, 智能电网成为全球电力能源输配电环节发展的必然选择,全球掀起一片智能电网建设热潮。智能电表和用电资讯采集系统产品作为智能电网建设的关键终端产品之一,对于电网实现资讯化、自动化、互动化具有重要支撑作用,随著智能电网投资的快速增长,其市场和盈利空间亦快速拓展。智能电表是一种新型
  • 关键字: 安森美  FSL4110  E-meter  

安森美的碳化硅技术将整合到宝马集团的下一代电动汽车中

  • 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)近日宣布与宝马集团(BMW)签署长期供货协议(LTSA),将安森美的EliteSiC技术用于这家德国高端汽车制造商的400 V直流母线电动动力传动系统。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一个全桥功率模块中,可提供几百千瓦的功率。两家公司的战略合作针对电动动力传动系统的开发和整合,使安森美能为特定应用提供差异化的芯片方案,包括优化尺寸和布局以及高性能和可靠性。优化的电气和机械特性实现高效率和更低的整体损耗,同时提供极高的系
  • 关键字: 安森美  碳化硅  宝马集团  电动汽车  

基于碳化硅的25kW电动汽车直流快充开发指南-结构和规格

  • 随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强,直流快速充电市场在蓬勃发展,市场对快速充电基础设施的需求也在增加。预测未来五年的年复合增长率 (CAGR) 为20%至30%。如果您是在电力电子领域工作的一名应用、产品或设计工程师,迟早会参与到这新的充电系统的设计中。这里可能会出现一个基本问题,特别是如果您是第一次面临这样的挑战。应该如何开始设计,从哪里开始?关键的设计考虑因素是什么,应该如何解决这些挑战?安森美(onsemi)帮助设计人员解决这些挑战,我们将演示开发基于SiC功率集成模块(PIM)的
  • 关键字: 安森美  

详解高效散热的MOSFET顶部散热封装

  • 电源应用中的 MOSFET 大多是表面贴装器件 (SMD),包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封装。通常选择这些 SMD 的原因是它们具有良好的功率能力,同时尺寸较小,从而有助于实现更紧凑的解决方案。尽管这些器件具有良好的功率能力,但有时散热效果并不理想。由于器件的引线框架(包括裸露漏极焊盘)直接焊接到覆铜区,这导致热量主要通过PCB进行传播。而器件的其余部分均封闭在塑封料中,仅能通过空气对流来散热。因此,热传递效率在很大程度上取决于电路板的特性:覆铜的面积大小、层数、厚度和布局。无论电路板是
  • 关键字: 安森美  MOSFET  

关于图像传感器图像质量的四大误区!你踩过几个坑?

  • 当前我们对图像传感器的依赖程度超出了大多数人的想象。图像传感器应用在汽车上,帮助我们避免碰撞;应用于建筑监控,防止非法入侵;应用于生产线,检查产品的质量。有趣的是,人们经常按照像素大小和分辨率等非常简单的指标,对图像传感器进行分类,但为不同应用选择合适的传感器要比这复杂得多。分辨率我们依赖传感器来探测危险,或检测产品中的缺陷,因而传感器的图像质量至关重要。系统设计人员和最终用户通常认为,更高的分辨率(即图像中的像素更多)可以增强图像质量,但情况并非总是如此。更高的分辨率固然可以保留图像的锐化边缘和精细细节
  • 关键字: 安森美  图像传感器  

提升马达控制驱动器整合度、最大化灵活性

  • 本文叙述三相永磁无刷直流(BLDC)马达的工作原理,并介绍两种换向方法在复杂性、力矩波动和效率方面的特点、优点和缺点;同时提出一种创新的BLDC换向方法,以及马达控制器IC在三种换向方法的作用。与传统的有刷直流马达的机械自换向不同,三相永磁无刷直流(Brushless DC ;BLDC)马达控制需要一个电子换向电路。本文简要回顾BLDC马达的工作原理,并介绍两种最广泛使用的换向方法在复杂性、力矩波动和效率方面的特点、优点和缺点;然后提出一种创新的BLDC换向方法,并探讨安森美(onsemi)的新款马达控制
  • 关键字: 马达控制  驱动器  BLDC  安森美  

基于Diodes AP43771 & 安森美 NCP81239 PD3.0车用充电方案

  • 随著支援快速充电的智能手机越来越多,当你使用过“快速充电”规格之后,那种“回不去”的感觉应该印象深刻吧!目前许多 110v~240v 电源充电器已经对应 QuickCharge 4 (QC 4.0)& QuickCharge 4.0+ (以下简称 QC 4.0+) & PD快速充电规格,那.....车上呢?此方案提供 USB Type-C 快速充电的 Power Delivery (PD3.0) 充电模式,让你在车上也可以享受快速充电带来的便利,以下为此方案针对各别IC功能简易介
  • 关键字: Car Charger  Diodes  AP43771  安森美  NCP81239  PD3.0  

几个氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器,能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓(以下简称“GaN”)功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要,本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项。本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文连接引脚的 GaNFET 封装。VDD 电容VDD 引脚应有两个尽可能靠近 VDD 引脚放置的陶瓷电容。如图 7 所示,较低值的高频旁路电
  • 关键字: 安森美  GaN  驱动器  PCB  

MOSFET选得好,极性反接保护更可靠

  • 当车辆电池因损坏而需要更换时,新电池极性接反的可能性很高。车辆中的许多电子控制单元 (ECU) 都连接到车辆电池,因而此类事件可能会导致大量 ECU 故障。ISO(国际标准化组织)等汽车标准定义了电气电子设备的测试方法、电压水平、电磁辐射限值,以确保系统安全可靠地运行。与极性反接保护 (RPP) 相关的一种标准是 ISO 7637-2:2011,它复制了实际应用中的各种电压场景,系统需要承受此类电压以展示其能够防范故障的稳健性。这使得极性反接保护成为连接电池的 ECU/系统的一个关键组成部分,所有汽车制造
  • 关键字: 安森美  

5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品!

  • 当您设计新电力电子产品时,您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一个必须实现的特性。SiC MOSFET 是一种能够满足这些目标的解决方案。以下重要技巧旨在帮助您创建基于 SiC 半导体的开关电源,其应用领域包括光伏系统、储能系统、电动汽车 (EV) 充电站等。为何选择 SiC?为了证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的,请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的电压、更高的
  • 关键字: 安森美  SiC  

氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器,能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓(以下简称“GaN”) 功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ,才能实现实现高电压、高频率、快速dV/dt边沿速率开关的全部性能优势。本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。NCP51820 是一款全功能专用驱动器,为充分发挥高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaNFET 的开关性能而
  • 关键字: 安森美  GaN  PCB  

一文搞懂IGBT的损耗与结温计算

  • 与大多数功率半导体相比,IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装,同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度,有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升。损耗组成部分根据电路拓扑和工作条件,两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关(开通和关断)损耗,而二极管损耗
  • 关键字: 安森美  IGBT  

碳化硅如何革新电气化趋势

  • 在相当长的一段时间内,硅一直是世界各地电力电子转换器所用器件的首选半导体材料,但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料,它能减轻对硅的依赖。SiC 是宽禁带 (WBG) 半导体:将电子激发到导带所需的能量更高,并且这种宽禁带具备优于标准硅基器件的多种优势。由于漏电流更小且带隙更大,器件可以在更宽的温度范围内工作,而不会发生故障或降低效率。它还具有化学惰性,所有这些优点进一步巩固了 SiC 在电力电子领域的重要性,并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已广泛用于众多应用,例如电源、纯
  • 关键字: 安森美  碳化硅  
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安森美介绍

安森美半导体(ON Semiconductor, 美国纳斯达克上市代号:ONNN)拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列,是计算机、通信、消费产品、汽车、医疗、工业和军事/航空等市场客户之首选高能效半导体技术供应商。公司广泛的产品系列包括电源管理、信号、逻辑、分立及定制器件。 公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯,并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的业务 [ 查看详细 ]

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