- 全球最大的内存芯片生产商三星电子宣布,已经成功采用70纳米生产工艺制造出第一块DRAM芯片。一旦这种生产工艺广泛应用于该公司的生产线,从同一硅片上生产的芯片数量将会翻倍。 芯片上的晶体管越多,它们之间的距离就越近,芯片性能也将得到提升。对于三星、美光和英飞凌等厂商,开发新技术对于削减成本以及增加销量是至关重要的。 DRAM芯片在线票据交换所宣称,应用最广泛的DRAM芯片的价格今年下跌了1/3,目前每块的价格仅为2.53美元。由于生产商大量的需求,现货市场上的DRAM如同
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三星 存储器
- Silicon Laboratories宣布推出闪存容量加倍的新型微控制器C8051F316和C8051F317,使其领先业界的小型混合讯号微控制器产品线更为强大。新组件是业界体积最小的高整合度微控制器,内含16 kB闪存并采用4
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- 三星电子集团执行官表示,内存芯片已经超过微处理器成为了推动消费电子业增长的关键技术。 三星电子集团技术市场部高级副总裁Jon Kang于当地时间本周四De nali MemCon大会上说:“我们已不再生活在以微处理器为核心的消费电子业的时代。内存芯片才是移动消费产品革命的关键一点。” Kang表示,存储密度(特别
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三星 存储器
- 韩国电子巨头三星电子公司日前宣称,他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片,这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。 三星电子称,采用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片,是当前80nm 和 90nm处理工艺的延续。但目前采用70nm处理工艺的每个晶圆上的芯片数量至少要比采用90nm工艺所包含的芯片数量多出一倍。新的生产工艺采用了三星的金属绝缘层金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)技术以及被称
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三星 存储器
- 海量存储等级(Mass Storage Class,MSC)是USB第一个标准化的规格,目前海量存储装置都能通过USB物理连接支持这项传输协议。另一方面,由于数字版权管理与内容保护需要考虑特殊的通讯协议,微软因此又推出了媒体传输协议(MTP)作为传统大容量存储装置的替代方案。 数字版权管理(DRM)与内容保护需要运用特别的通讯协议,在微软的DRM引擎Janus中,底层采用的技术为MTP。MTP可被视为取代传统MSC的方案,能传送受保护的内容。图1是传统海量存储装置应用以及相关的软件堆栈。
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- 华盛顿当地时间本周四,美国司法部宣布,三星将对操纵DRAM内存价格的指控供认不讳,并同意支付3亿美元的罚款。 作为美国政府对三星在美国DRAM内存市场上操纵价格的为期3年的反垄断调查的结果,三星同意接受罚款处理。预计三星及其在美国的子公司━━三星半导体公司将在位于美国旧金山的联邦地方法院承认自己有罪。 去年12月份,三星曾经预留1亿美元用于支付与价格操纵案相关的成本。今年早些时候,Hynix同意支付1.85亿美元了断美国政府的反垄断调查;去年,德国的
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三星 存储器
- 随着苹果iPod Nano的问世,闪存芯片开始发力,向硬盘发起挑战。而三星,无疑是最大的赢家。在这场闪存的变革中,赢家不至三星一个,其对手也将从中获得极大的利益。 今年9月7日,苹果电脑公司推出了新款的iPod Nano。对此,三星的CEO黄昌圭( Hwang Chang Gyu)比业内的任何人都要高兴。他与苹果的乔布斯坚信,iPod Nano对于原创的iPod来说,是"一次最大的变革"。 当然,在
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- 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)日前推出四款新型FlipKY肖特基二极管。与业界普通标准的肖特基器件相比,它们的体积更小,工作效率更高。这些新型0.5A和1.0A器件采用节省空间的芯片级封装(CSP),最适于空间受限的手持和便携设备,如移动电话、智能电话、MP3播放器、PDA和微型硬盘驱动器,应用范围包括电流调节、ORing及升压和续流电路。 30V的IR0530CSP和40V的IR05H40CSP均属于0.5A器件,两者都采用紧凑的3焊球芯片级封装,只占用1
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IR FlipKY 存储器
- 益登科技所代理的Silicon Laboratories宣布推出闪存容量加倍的新型微控制器C8051F316和C8051F317,使其领先业界的小型混合讯号微控制器产品线更为强大。新组件是业界体积最小的高整合度微控制器,内含16 kB闪存并采用4
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Silicon Laboratories 存储器
- 近来,几名中国学者对安全散列算法(SHA)的强大安全性做出了攻击。本白皮书将讨论这种攻击方式,其结果表明:尽管比起最初的想法, SHA-1 算法在抗碰撞上略有不足,但Dallas Semiconductor/Maxim 的SHA-1 存储器件的安全性并未受到影响。因此,该公司的SHA-1 存储器件(DS1963S、DS1961S、DS2432) 仍可以为附件/外设鉴别及防窜改、存储器认证应用提供低成本、有效的解决方案。引言
Dallas Semiconductor/Maxim 的SHA-1 存储
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SHA 存储器
- 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)日前推出四款新型FlipKY肖特基二极管。与业界普通标准的肖特基器件相比,它们的体积更小,工作效率更高。这些新型0.5A和1.0A器件采用节省空间的芯片级封装(CSP),最适于空间受限的手持和便携设备,如移动电话、智能电话、MP3播放器、PDA和微型硬盘驱动器,应用范围包括电流调节、ORing及升压和续流电路。 30V的IR0530CSP和40V的IR05H40CSP均属于0.5A器件,两者都采用紧凑的3焊球芯片级封装,只占用1
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国际整流器公司 存储器
- 无线应用和个人数据存储这两个话题, 无可置疑地正在成为现今便携式产品市场中最热门的话题。 无线应用尤其是无线上网, 正在陆续地被便携式产品所采用, 有如SONY(索尼)公司最新推出的PSP (Play Station Portable),就增添了802.11b无线上网功能。而其它产品如PDA和智能型手机,更是抢得先机将802.11b加入其里面。802.11b不但可以用于无线上网, 它更是在便携式产品领域里开拓了全新的应用, 如VoIP(Voice over IP),就是帮助用户通过无线网络来实现免费通话
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- IBM公司 和英飞凌技术 (Infineon Technologies) 公司将磁存储器元件集成到高性能逻辑基中,开发出他们所声称的"迄今最先进的磁性随机存取存储器技术(MRAM)。" 两家公司相信,该开发成果将加速MRAM的商品化,并有可能在早至2005年取代当今某些存储器技术。MRAM能导致"即时开启"的计算机问世,从而使用户能像电灯开关那样快速地开启和关闭计算机。 这种高速128kb MRAM芯核采用0.18微米基于逻辑的加工工艺制造,据说是
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IBM公司 存储器
- 也许Infiniband的成熟过于缓慢,且似乎到了快死亡的地步,但现在高速互连正在将一群服务器连在一起并作为一种存储区域网 (SAN) 技术而找到了广泛使用。的确,很多服务器与存储供应商,包括IBM、HP、Dell、Sun及其他公司,目前都在提供采用Infiniband技术的系统。InfiniBand技术的长期支持者Mellanox公司,曾提供过售价高达200美元的双端口、10Gbps和20Gbps芯片,目前又推出了成本与功耗都降低了的新型单端口InfinHost III&n
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- 由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC最近展示了基于90nm MirrorBit技术的单芯片1Gb GL NOR闪存,并验证了1Gb ORNAND闪存的工作芯片。 Spansion在其位于得克萨斯州奥斯汀的旗舰制造基地Fab 25所生产的Spansion 90nm MirrorBit技术的产品,为引人关注的高容量闪存开发计划奠定了基础。该项计划旨在开发多款满足无线和嵌入式应用,将所需容
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富士通公司 存储器
存储器介绍
什么是存储器
存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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