- Infineon Technologies 开发了用于固态保护和配电设计的新型碳化硅 JFET 系列。这是继 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一产品。JFET 通过反向偏置 PN 结上的电场来控制电导率，而不是 MOSFET 中使用的绝缘层上的横向电场。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可显著降低导通损耗。大体通道优化的 SiC JFET 在短路
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英飞凌 SiC JFET 固态配电
- 近日，为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。凭借强大的短路能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制，CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。英飞凌科技零碳工业功率
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英飞凌 CoolSiC JFET 固态配电
- 简介电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。特性Si4H-SiCGaN禁带能量（eV）1.123.263.50电子迁移率(cm2/Vs)14009001250空穴迁移率(cm2/Vs)600100200
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碳化硅 Cascode JFET 碳化硅 安森美
- 随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。在第一篇文章(SiC JFET并联难题大揭秘，这些挑战让工程师 “头秃”！https://www.eepw.com.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并联的五大难题，破解方法终于来了！https://www.eepw.com.cn/article/202503/467644.htm)中我们重点介绍了SiC JFET并联设计的挑战，本文将介绍演示和测试结果。演
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SiC JFET 并联设计
- 随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共源共栅）关键参数和并联振荡的分析，以及设计指南。本文为第一篇，聚焦Cascode产品介绍、Cascode背景知识和并联设计。简介大电流操作通常需要直接并联功率半导体器件。出于成本或布局的考虑，并联分立器件通常是优选方案。另一种替代方案是使用功率模块，但这些模块实际上也是通过并联芯片实现的。本文总结了适用于所
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JFET Cascode 功率半导体
- 电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。图1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较什么是碳化硅Cascode JFET技术？众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（B
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SiC Cascode JFET AC-DC
- 安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB) 等新兴市场的部署。SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这
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安森美 碳化硅JFET SiC JFET 数据中心电源
- 据安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司 United Silicon Carbide。该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。据悉，该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB)等新兴市场的部署。安森美电源方案事业群总裁兼总经理
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安森美 收购 Qorvo SiC JFET
- 艾德克斯（ITECH）旗下备受青睐的IT-M3100可编程直流电源系列再添新星，隆重推出全新1000V高压型号。这款新成员不仅功率覆盖从400W到1500W，更以紧凑设计著称，1U高度、半宽机架，完美适用于实验室和产线系统控制。不仅如此，IT-M3100系列还支持高达256通道的同步控制，大幅提升产线测试效率，堪称灵活高效的测试利器。此次推出的高压产品共有3个型号，电压高达1000V，电流3A，功率分别为400W、850W和1500W。无敌性能，全面升级IT-M3100全系列产品具备诸多高性能功能，包括可
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艾德克斯 IT-M3100 可编程 直流电源 itech
- 半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管（FET），简称场效应管。场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管（JFET），另一类是绝缘栅场效应管（MOSFET）。在如果你在某宝里搜索“场效应管”你会发现，搜索出来的基本上是绝缘栅场效应管。即使搜索“结型场效应管”，出来的也只有几种，你是不是怀疑结型场效应管已经被人类抛弃了的感觉，没错，JFE
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三极管 MOSFET JFET
- JFET 与 MOSFET的区别JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于，通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在半导体上的金属氧化物绝缘体中的横向电场。JFET 与 MOSFET的区别两者之间的下一个关键区别是，JFET 允许的输入阻抗比 MOSFET 小，因为后者嵌入了绝缘体，因此漏电流更少。JFET 通常被称为“ON 器件”是一种耗尽型工具，具有低漏极电阻，而 MOSFET 通常被称为“OFF 器件”，
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结型场效应管 jfet MOSFET 电路设计
- 今天给大家讲讲结型场效应管极性判断方法。用万用表来判断JFET极性相对来说比较简单，因为只有一个PN结要测：要么在栅极和源极之间测量，要么在栅极和漏极之间测量。1、结型场效应管极性判断方法--引脚识别JFET的栅极对应晶体管的基极，源极对应晶体管的发射极，漏极对应晶体管的集电极。在这之前讲过关于三极管测好坏的方法，极性的判断。可以点击标题直接跳转。三极管的测量方法和管脚辨别方法，一文总结，几分钟教你学会将万用表设置为“R×1k”，用两根表笔测量 每两个引脚之间的正反向电阻。当两个引脚的正反向电阻均为几千欧
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结型场效应管 jfet 电路设计
- 意法半导体近日发布了IPS1025H 和IPS1025H-32单通道可编程高边开关。这两款开关内置欠压保护、过压保护、过载保护、过热保护功能，能够智能驱动高启动电流的容性负责、阻性负责或感性负载。IPS1025H和IPS1025H-32的不同之处在于内部可编程限流大小。IPS1025H的限流值是2.5A，而 IPS1025H-32则限流5.7A。除了主限流之外，每个开关还有一个用户可编程的辅助限流功能，用于处理初始启动电流很大的容性负载。限流值和持续时间是用外部电阻和电容来设置具体数值。这两款器件尺寸紧凑
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开关 可编程
- 据悉，全球首个活体机器人诞生了！美国佛蒙特大学计算机科学家和塔夫茨大学生物学家共同创造出100%使用青蛙DNA的可编程的活体机器人xenobots，这项最新的研究结果已经于近日在美国国家科学院院刊上发表。
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活体机器人 可编程
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