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08大陆半导体分立器件应用规模达170亿美元
- 据信息产业部统计，中国大陆今年1～10月份，已生产半导体分立器件1,995亿只，同比增长12.0%，产品销售收入同比增长20.0%，达720亿元。预计到今年年底，产量可达2,500亿只左右，产品销售收入可达865亿元人民币，从2004～2007年，中国大陆本地半导体分立器件产品销售收入年复合增长率达27.8%。预计2008年，在中国电子制造业前景看好的形势下，将以18.0%的速度增长，产品销售收入将达到134.3亿美元(见图1)。 2007年中国大陆半导体分立器件仍呈
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2007年中国半导体创新产品和技术项目公布
- 由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会、中国电子报联合主办的“中国半导体创新产品和技术评选(2007年度)”活动的评选结果正式公布，AK36xx系列移动多媒体应用处理器、大功率MOS场效应晶体管模块工艺、镀钯框架绿色塑封技术、8-12英寸先进封装技术专用匀胶设备等35项产品和技术被评为2007年中国半导体创新产品和技术。(详见下表) 2007年12月1日至2008年月1月25日，中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协
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低成本与差异化：本土功率半导体企业竞争策略
- 功率半导体器件是能承受较高电压和较大电流的半导体产品，现代功率半导体器件与大规模集成电路是半导体技术中相互独立平行发展而又时有交叉的两个不同专业技术领域，分别解决不同的专业技术问题，制造不同性能的产品，满足不同用途的需要。功率半导体器件从功能上讲是进行电能处理的半导体产品，主要用于电源和功率执行(控制)电路。 产品与技术暴露本土企业差距 随着电子产品体积越来越小，功率半导体器件将向着复合型、模块化方向发展。从性能上看，大电流、高速、高反压功率半导体器件拥有非常稳定的市场需求，由于其不易集成
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半导体不景气 硅片厂产能转向太阳能多晶硅
- 据有关媒体报道，2008开春以来，整体景气仍维持在观望且偏悲观的气氛中，而半导体产业的景气动态则是太阳能业者积极观察的焦点，许多太阳能业者认为，一旦半导体产业受到大环境的影响使其产能利用率下滑，则闲置的料源就有机会流向仍在缺货的太阳能产业，有机会为2008年太阳能料源干旱期来点甘露。 2008年仍是太阳能的缺料高峰期，虽然老字号的多晶硅厂包括美国Hemlock、德国Wacker、挪威REC及美国MEMC等都将开出新产能，但这些新产能的成长速度仍不及后端电池、模组厂等的扩产速度，再加上新加入者产出
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利用半导体技术实现医生与病人间的信息化管理
- 没有其它任何一个领域比医疗保健行业更加强烈地感受到变革的压力。医疗机构和服务部门迫切需要降低成本，但难题在于不能影响病人的生活质量。减少员工、设备成本和能源消耗，限制病人住院时间，都有助于降低医疗成本，但这对病人来说，代价又有多高呢?这是一个严峻的挑战，医疗服务提供商正在依赖技术，以合理的成本，成功地应对提供更好的医疗服务的挑战。 半导体技术对医疗系统产生了深远的影响。病人监控、药物调剂以及其它很多应用都可以采集病人的信息，快速处理这些数据，然后通过医院内的网络，将关键信息传输到需要信息的人，从
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2008半导体市场：几家欢喜几家愁
- 对2008年IC产业的展望，许多市场研究者发布了他们各种各样的预言。IC市场在经历了相对乏味的2007年后，2008年将会上升，但是今年的投资额预计将降低10%甚至更多。 各大市场调研公司对于2008年的IC市场增长率的预测从6.2%到12%不等。以下即为来自不同研究机构的预言： ●SemicoResearch：12% ●ICInsights：10% ●SIA：7.7% ●iSuppli：7.5% ●VLSIResearch：7.5% ●Gartner：6.2
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风险投资在半导体产业“遇到麻烦”
- 有专家警告，风险投资对半导体产业的兴趣正在减少，这可能会引发工程师及其他有才华的人到产业之外寻找工作机会。 ShahinFarshchi是位于纽约的风险投资公司LuxCapitalManagement的合伙人，他把现在风险投资对半导体产业的整体趋势描述为“遇到麻烦”。 事实上，在过去的几年间，风险投资对于半导体产业的整体投资一直很平稳，每年徘徊在20亿美元左右，但2007年比2006年降低了10%。Farshchi是在ISSCC(InternationalSolid
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安森美半导体发布2007年第4季度及全年业绩
- 2007年第4季度摘要: · 总收入为4.079亿美元 · 扣除利息、税项、折旧及摊销前盈利(EBITDA)为9,550万美元 · 每股全面摊薄净收入0.20美元 · 非公认会计原则每股全面摊薄净收入0.23美元 · 现金及现金等值2.746亿美元 · 2007年12月31日向Analog Devices, Inc. 收购中央处理器电压及PC热监控产品部 · 宣布
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半导体二极管之快恢复整流二极管
- 一、快恢复整流二极管的结构特点及特性 快恢复整流二极管是近期问世的新型半导体器件，它的内部结构与普通二极管不同，它在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P—I—N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，使反向恢复时间大大减少。除此之外，还降低了瞬态正向压降，使二极管能承受很高的反向电压。 反向恢复时间t1是快恢复二极管的重要参数，它是指电流通过零点由正向转换成反向，再从反向转换到规定低值的时间间隔，如图14-20所示。
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半导体二极管之开关二极管
- 一、开关二极管的特性 由于半导体二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅二极管在10MΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。开关二极管就是为在电路上进行“开”、“关"而特殊设计制造的一类二极管。开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间
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半导体二极管之双向触发二极管
- 一、双向触发二极管的结构与特性 双向触发二极管由硅NPN三层结构组成，它是一个具有对称性的半导体二极管器件，可等效为基极开路、集电极与发射极对称的NPN半导体三极管，如图14-38所示。 双向触发二极管的伏安特性曲线如图14-39所示，其正向和反向具有相同负阻特性。当双向触发二极管两端所加电压V，低于正向转折电压VBO时，器件呈高阻状态。当外加电压升高到VBO时，器件击穿导通，由高阻转为低阻进入负阻区。同样，当所加电压大于反向转折电压-UBO时，器件也会击穿导通进入负阻
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SEMI在大连建立“大连半导体产业园”
- 国际半导体设备和材料协会(SEMI)的代表，与大连开发区管委会领导共同签署“大连半导体产业园合作备忘录”——双方将共同协作，为英特尔芯片项目提供更便捷的配套服务，同时完善大连的半导体产业链、资金链与人才链，使大连成为国际一流的半导体产业基地。大连市长夏德仁、副市长戴玉林，SEMI全球总裁Stanley T. Myers先生等领导和嘉宾出席了签字仪式。 SEMI协会的会员主要为在半导体、平板显示、纳米以及MEMS等领域提供设备、材料以及服务的公司，全
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Mirics 新增广播调谐产品系列，用于便携消费电子产品和手持应用
- 来自英国的为地面广播接收应用提供创新可配置 RF 解决方案的Mirics 半导体公司，今天宣布其产品系列新增了 MSi002 多波段调谐器 IC。 MSi002 调谐器带有工业标准的 12C 控制接口，可支持老式单一标准和多标准解调器 IC。Mirics 通过使用创新设计技术进行工程设计，MSi002 能够向消费电子设备提供高性能广播接收解决方案，这些电子设备包括移动手持设备、便携收音机、PMP、笔记本电脑和 USB TV 加密狗。该装置是对 Mirics 的突破性 MSi001 调谐器的补充，MSi
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半导体介绍
semiconductor
电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物), [ 查看详细 ]
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