- 工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)引用市调机构调查报告指出，去年全球DRAM价量飙扬，产值年增达约77%、达725亿美元，平均销售单价上涨55%;今年预估还是供不应求，虽然涨幅力道不如去年大，但在主要供货商仍有节制增产下， 预估今年平均销售单价仍会涨逾32%，年产值估约年增23%、达近900亿美元，为历年来新高。
IEK看好今年内存仍将会是价量齐扬的一年，主因人工智能将从云端运算往下落到边缘运算，预估到2022年，将会有高达75%的数据处理工作不在云端数据中心完成， 而是透过靠近用户的边缘运
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DRAM
- 2017年第四季度存储市场依旧火爆，受全球数据中心增长驱动，服务器存储器需求尤其强劲，将继续推动公司2018年利润的增长，SK海力士也将扩展新生产线来满足市场需求。
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SK海力士 DRAM
- 全球第二大内存芯片厂韩国SK海力士受惠DRAM价格大涨，以及市况持续畅旺，去年第4季获利创单季新高，看好今年服务器内存需求持续强劲。 市调机构集邦则预期，尽管智能手机销售不如预期，恐导致本季移动内存合约价涨幅收敛为3%，但第2季将重启拉货动能，价格仍会续涨。
SK海力士昨天举行发布会并公布去年财报，去年第4季获利和去年全年获利都创新高。 该公司分析，去年第4季获利创高，主因DRAM芯片出货季增3%，平均价格涨9%;NAND芯片出货增16%，均价涨4%。
SK海力士预估，2018年DRAM芯
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海力士 DRAM
- 大厂3D NAND良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太理想。
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DRAM NAND
- 紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。
同时，关于公司在国内业界、排名情况，紫光国芯介绍，公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平，国内稀缺，但目前产品产量很小，市场份额不大。
针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问，紫光国芯作出上述回应。
1月26日紫光国芯在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储
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紫光国芯 DRAM
- 2017年，整体内存产业不论DRAM或NAND Flash，都度过了一个黄金好年，那么2018年可否持续荣景呢? 综合目前业界的看法，DRAM热度可望延续，供不应求态势依旧，但NAND部分，恐怕就不会那么乐观了，由于大厂3D NAND良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供给吃紧，届时产业由悲转喜。
DRAM无新增产能
首先就DRAM部分，以大方向来说，2018年在Fab端并无新增产能，顶多就
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DRAM NAND
- 南亚科总经理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM价格持续看涨，但涨幅会收敛些，下半年则仍待观察三星、 SK海力士二大韩厂实际增产内容才能做明确分析。 目前来看，韩国二大厂都表明将依市场需求增产，分析DRAM产业到明年都可维持健康稳定。
李培瑛表示，服务器和标准型DRAM今年市场需求持续强劲，南亚科内部预估，今年DRAM位需求增幅约20%至25%，搭配云端数据中心对服务器DRAM需求同步畅旺，以及高端手机搭载DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奥运来临，刺激电视与机顶盒等需求，带动利基型D
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南亚科 DRAM
- 武汉东湖高新区未来三路与高新大道交汇处，一个被称为“黄金大道”的T字形结构的芯屏组合的产业聚集区已悄然形成。而这其中的“1号工程”正是在中国存储器产业已掀起“巨浪”的长江存储科技责任有限公司(以下简称“长江存储”)。
2018年1月17日，阴冷两天的武汉再度放晴，而长江存储的一期工厂已经竣工，已然组建的研发团队正在东湖高新区(以下简称“高新区”)的另一处办公地址加紧推进研发工作
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集成电路 DRAM
- RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存
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SRAM DRAM
- 研调机构IC Insights发布最新报告指出，DRAM厂于2017年第4季的销售金额将创下历史新高峰，预估达到211亿美元，较2016年第4季的128亿美元大增65%。IC Insights表示，据历史经验来看，DRAM产业在不久的将来，可能经历长期间的景气向下格局，因随着DRAM产能增加，今年价格将开始下滑，跌势更恐达2年之久。
回顾2017年，受惠于数据中心需求，带动服务器DRAM明显升温，同时智能手机与其他移动装置产品采用低功耗高密度DRAM也同步成长，2017年DRAM价格报价一路上扬
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DRAM
- 缺货涨价固然有产能不足的因素，但原厂联合渠道商炒货，是其中更为重要的潜在影响因素。
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DRAM 三星
- 抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。
DRAM市场表现强劲，IC Insights预估，2017年DRAM市场将激增74%，为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别，产值高
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三星 DRAM
- 抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。
DRAM市场表现强劲，IC Insights预估，2017年DRAM市场将激增74%，为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别，产值高
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DRAM DDR4
- DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，而明年上半年将转为供过于求。
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NAND DRAM
- 内存明年市况恐将不同调，DRAM市场仍将持续吃紧，NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。
DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。
内存模块厂创见指出，DRAM 市场供货持续吃紧，价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面，随着 3D NAND Flash 技术日益成熟，生产良率改善，可望填补供货缺口。
另一内存模块厂威刚表示，短期内全球 DRAM
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DRAM NAND
动态随机存取内存(dram)介绍
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