- 东京—东芝公司旗下半导体&存储产品公司(Semiconductor & Storage Products Company)今天宣布其门驱动光电耦合器阵容增添新成员，用于驱动中等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款新的4A输出智能门驱动光电耦合器“TLP5214”采用纤薄的SO16L封装，并具有保护功能，可防止IGBT产生过流状况。这一新产品将于5月底开始量产出货。
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东芝 光电耦合器 TLP5214
- 日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。
展示产品简介:
IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)
东芝在IGBT的基础上成功研发出&
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东芝 功率器件 光耦
- 东京—东芝公司今天宣布，该公司将推出TMPV7502XBG，从而扩大其TMPV750系列图像识别处理器的阵容。新产品提供小型封装(11mm × 11mm)，功耗更低(典型值为0.6W[1])，特别适用于小型相机模块。即日起将开始样品出货，计划于2014年11月投入量产。
新产品可用于驾驶辅助系统，后者通过车辆后视镜和电子后视镜捕捉的图像来识别车辆和行人。此外，新产品还能在不同智能社区(Smart Community)相关的应用中处理智能相机功能，应用包括公路上和十字路口使
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东芝 相机 图像识别
- 日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。 展示产品简介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”(IE：Inject
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东芝 IEGT SiC
- 前言： 在应对着苹果iPad所带来的冲击的同时，传统电脑厂商正在努力使笔记本电脑变得更加轻薄小巧。如何使传统笔记本电脑更为小巧便携呢?方法无外乎两种，一种是像上网本一样缩减整机尺寸，这样可更加利于用户携带，但性能与续航的缺点则不容忽视。另一种方法是减少整机重量和厚度，就像苹果MacBook Air一样，在保留标准13英寸屏幕的同时，操控与性能也得以延续，而在价格上却要高出不少。
拥有25年笔记本制造经验的东芝最近推出了一款超轻薄笔记本电脑产品-R700，这款产品还有一
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东芝 R700
- 东芝公司(TOKYO：6502)旗下半导体&存储产品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其门驱动光电耦合器阵容增添新成员，用于驱动中等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款新的4A输出智能门驱动光电耦合器“TLP5214”采用纤薄的SO16L封装，并具有保护功能，可防止IGBT产生过流状况。这一新产品将于5月底开始量产出货。
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东芝 TLP5214 SO16L IGBT
- 6月4日中午消息，日本东芝公司昨日宣布，已在台湾法院控告力晶科技、智旺科技、力积电子与瑄誉科技(C.T.C)，指控四家台湾公司侵害东芝NAND闪存专利。力晶表示，目前已收到相关文件，闪存相关业务占力晶业务比重低，对公司营运影响不大。
东芝目前要求新台币1亿元赔偿金，并计划日后提高索赔金额。东芝也要求被告停止销售和制造被控侵权的产品。东芝在1987年发明NAND闪存，是目前全球主要制造商之一。NAND闪存广泛用于智能手机。
东芝表示，已在台湾的知识产权法院提出控诉，控告力晶等四家公司侵害东芝
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东芝 力晶
- 日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。 东芝电子将展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)专利产品、Stack(压接装置)产品、SiC(混合型IEGT)产品、IPD +
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东芝 PCIM IEGT
- 东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，即日起开始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本标准的32GB和64GB嵌入式NAND闪存模块的样品出货。东芝在业内率先提供此产品[2]。 这两种模块还集成了UFS 2.0版本的可选功能——5.8Gbps高速MIPI® M-PHY®[3]HS-G3 I/F，并实现了超高性能，包括650MB/s的读取速度和180MB/s的写入速度。
传输速度的加快可缩短各
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东芝 嵌入式 闪存
- 东京—东芝公司(TOKYO：6502)半导体&存储产品公司今天宣布，该公司推出小型SO6封装的光电耦合器。新产品“TLP3905”和“TLP3906”即日起投入量产。
光电耦合器采用不含MOSFET芯片的光控继电器结构。用户可通过将光电耦合器与外部可选MOSFET相结合，从而创建一个隔离继电器。这样可获得更大的电压和电流，超越现有光控继电器产品的性能。
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东芝 TLP3905 TLP3906 电流控制
- 首款符合高速UHS-II接口标准的产品
东京—东芝公司(TOKYO：6502)于2014年4月17日宣布，该公司将推出全球速度最快[1] 的microSD存储卡。该存储卡符合SD存储卡标准4.20版定义的超高速串行总线接口UHS-II[2]标准。即日起为智能手机和其他移动设备制造商以及芯片供应商提供样品。
这款新的microSD存储卡将包含32GB和64GB两种容量。32GB卡的最大读取速度可达到每秒260MB[3] ，最大写入速度可达每秒240MB;64GB卡的最大读取速
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东芝 microSD UHS-II
- 东芝Portégé这个历史悠久的商务笔记本系列曾经诞生过无数个经典机型，Portégé A100率先登陆大陆，引发了销量狂潮，现在依然被老玩家们所津津乐道，而到了2014年，东芝Portégé继续保持着轻薄外形和坚固设计的品质，Z30主打高端商务，而今天的主角R30则主要卖点则主打全功能，而且以相对亲民的价格面向市场。
对于一款商务笔记本来说，更薄的外观固然可以提高便携性，但对设计成本和接口散热方面就要做出妥协，东芝R3
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东芝 R30
- 半导体行业的闪存制造工艺进步除了意味着用户能够获得更好的存储性能，同时也意味着SSD固态存储设备价格的下降。过去几年中SSD的降价幅度还是颇大的，目前最便宜的固态存储驱动器每GB的价格不到50美分，未来价格还将降得更低。东芝(Toshiba)当前已经开始量产15nm工艺的MLC NAND，东芝表示这种128Gb(16GB)芯片已经达到“全球最小级别的芯片尺寸”。
新型NAND闪存芯片的制造将由日本三重县(Mie Prefecture)四日市业务部(Yokkaichi
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东芝 15nm
- 集成5种不同的电压输出，可减少安装面积 东芝公司日前宣布推出“TC7735FTG”。主要用于汽车导航系统中中等尺寸LCD模块的系统电源集成模块。现样品已可以支持。 LCD模块需要最多五个不同电压的电源来驱动控制器和驱动器。这款集成电路集成了2通道的DC-DC转换器、2通道的电荷泵，以及一个运算放大器。这一设计允许使用一个芯片来驱动LCD模块，从而减少安装面积。该产品支持4.5至16伏的宽运行电压范围，因此可直接从汽车电池供电，适合用于汽车导航系统。 这款集成电路集成了一个OTP存储器1，可为各个
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LCD 电源 东芝
- 行业首款单片集成电路可支持10A输出电流和50V电压 东芝公司日前宣布推出用于工业设备的单通道直流有刷电机驱动器集成电路“TB67H303HG”。该产品是行业首款1可以支持10A输出电流和50V电压的单片2集成电路。即日起开始批量生产出货。 工业设备电机驱动器电路需要高输出电流和电压。这使得设计包含单驱动器集成电路的电路较为困难，因为高电流会产生热量。为了减少每个组件生成的热量，通常会使用多个独立的半导体。 “TB67H303HG”采用最新的高电压模拟工艺，使导通电阻降至其先前版本3的80%(0
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东芝 TB67H303HG 电机驱动器
东芝介绍
东芝（TOSHIBA），是日本最大的半导体制造商，亦是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团旗下。
历史
东芝是由两家日本公司于1939年合并成的。
两家公司中第一个成立的是田中制造所，那是日本国内第一家电报设备制造公司；是由田中久重于1875年创立的。在1904年公司更名为芝浦制作所。在20世纪初期，公司以供应日本国内的重型机电制造为主业；在明治维新之后，公司更跃升为世界的工业大厂之一。
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