IR推出新型DirectFET MOSFET

有效降低高达30%的导电损耗

国际整流器公司近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。

单个采用SO-8封装的IRF6648，性能可与两个并联的同类增强型SO-8器件相媲美。IRF6648最适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。

如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的240W隔离式转换器的次级，功率密度可由每平方英寸72W增加15%。这完全归功于IR DirectFET  MOSFET 封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。

IR中国及香港销售总监严国富指出：“我们扩展了中压DirectFET MOSFET产品系列，这使得电源设计人员可以有更多的器件选择去改善隔离式DC-DC转换器的初级和次级插槽的性能。”

“IRF6648是一种多功能器件，可用于36V到75V输入的隔离式DC-DC转换器的次级同步整流插槽、初级半桥及全桥隔离式DC-DC总线转换器、24V输入初级正向有源箝位电路和48V输出AC-DC有源ORing系统。”

IR的DirectFET MOSFET封装已获得专利，它集中了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。其中的金属罐构造能发挥双面冷却功能，使用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加了一倍。另外，DirectFET封装的器件均符合“电子产品有害物质限制指令”（RoHS）的要求。