SEZ携手AIR LIQUIDE开发用于高级金属栅极材料的蚀刻解决方案

业界领先者们深入研究适用于单晶圆工艺的化学制剂，

赋予了深亚微米应用中最理想的性能和拥有成本

　　奥地利 VILLACH（维拉赫）和法国巴黎—2005年7月11日讯－业界领先服务于半导体行业的单晶圆清洗解决方案首要创新者SEZ（瑟思）集团 (瑞士股票交易市场SWX代码：SEZN)和业界领先的工业和医疗气体及相关服务的供应商Air Liquide （液化空气公司，Euronext Paris证券交易所上市）于今日联合宣布，双方将通力合作，携手解决生产线前段（FEOL）的先进金属栅极蚀刻所面临的化学制剂的挑战。45纳米技术标准下的高k值门极绝缘体和高级金属栅极的电极预计会带来许多的制程挑战，包括去除不需要的含有金属电极材料的背面和倒角边沉积膜层。受到与领先的原子层沉积（ALD）公司Aviza Technology 彼此独立但又互补的合作开发项目的推动，SEZ和Air Liquide 将寻求合作共同开发一种全面、多元的高级蚀刻材料的解决方案，确保芯片制造商们以最低的拥有成本（CoO）获得最好的性能。

　　Air Liquide电子副总裁Christophe Fontaine 表示： “我们期待与SEZ齐心协力携手应对正在不断涌现的制程挑战，开发出新的化学制剂以恰当的满足当前的以及未来发展的技术需求。两个公司都能够在这个合作项目发挥独特、互补的技术优势。Air Liquide在ALOHA产品线内拥有开发一种具有选择性的蚀刻剂的专家技术，并且可以将该技术成功推向市场。而同时SEZ在晶圆背面处理方面的技术无可匹敌。”

　　原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）技术的一个副作用是膜层材料会沉积到晶圆的背面。这些膜层产生的污染物可能通过共用的晶圆传送过程被传递到其它的晶圆上，而且膜层自身也有可能分裂成层或剥落，变成很严重的微尘粒子问题。因此，必须将背面和倒角边上的任何一种膜层材料都去除。但目前面临的问题是这些材料中有很多难以进行湿式蚀刻，特别是在需要对下层的材料层进行某种选择性的蚀刻时。

　　由于不能选择对背面和倒角边进行干式蚀刻，因此必须开发出适用的湿式蚀刻解决方案。为了保护器件，晶圆正面和背面需要互相隔离，所以最好的湿式蚀刻解决方案是采用使用一种有效的制程化学制剂的单晶圆旋转处理机台。 例如，尽管将钌金属作为高级金属栅极材料的业内呼声很高，但是由于其固有的属性之一是其对化学品的侵蚀的抵抗力很强，因此，钌金属的清除就成为一项严峻的挑战。

　　通过将SEZ在单晶圆湿式表面处理和膜层剥离的先进的专家技术与Air Liquide在工艺化学领域的深厚知识有机地结合在一起，这两个公司的联盟首先要集中精力，找到一个可行的钌金属去除的解决方案，使之能够应用于高级金属栅极材料。Air Liquide 将在他们的应用实验室开发出适用的化学配方,然后，SEZ将在其位于亚利桑那州的凤凰城在已安装的单晶圆半导体设备上测试这种新颖的化学制剂解决方案。

　　SEZ全球新兴技术部总监Leo Archer博士表示：“此番联盟将为SEZ提供一个极好的机会，与业界领先的电子物料公司合作开发适合我们SEZ旋转处理器平台、行之有效的化学制剂。”他进一步强调：“能够为客户提供有效清洗诸如钌金属类复杂材料的能力，充分利用了SEZ的核心技术，无疑将为SEZ提供开拓新市场的商机。而且，能有效应用于钌金属蚀刻的化学制剂也极有可能适用于其他关键的高级金属栅极材料蚀刻，可以改善客户的拥有成本，为其它方面的应用可以提供新的机会。”

　　Air Liquide 和SEZ 集团将于2005年7月12-14日在美国加州旧金山Moscone Convention Center 举行的SEMICON West 2005展会上参展。如若需要了解关于合作或这两家公司和产品的更多信息，届时敬请光临北厅＃5302的 Air Liquide展台和北厅＃5568的 SEZ集团展台。