飞利浦P信道MOSFET扩展TrenchMOS系列 作者:eaw 时间:2005-04-28 来源:eaw 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 飞利浦电子公司推出的多个低导通电阻RDS(on) MOSFET器件,专为对占位面积要求严格的无线通信、移动计算和消费多媒体应用而设计。新型MOSFET包括20V和30V额定VDS,其驱动特性在栅驱动电压低至2.5V时可完全打开。其中PMN50XP具有20伏电压和50mW电阻,并采用TSOP6封装,从而为设计人员提供了一种成本经济型电源管理方案。 www.semiconductors.philips.com
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