数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位体制ADC的设计与实现
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由图7 测试结果可知，如果定义10°相位误差（对应±0.22LSB）为界，那么该电路具有接近150MHz的带宽，ADC 的输出码流速率可达1.2Gbps。以上测试结果均在2GHz 时钟速率下测得。
5、结论
本文详细讨论、分析了用于3bit相位体制DRFM 系统的3bit 相位体制ADC的设计过程。利用南京电子器件研究所标准GaAs Φ76mm 全离子注入工艺，采用全耗尽非自对准MESFET 器件加工实现了3bit 超高速相位体制ADC。测试结果表明，电路可在2GHz 时钟速率下完成采样、量化，达到1.2Gbps 的输出码流速率，其瞬时带宽可达150MHz，具备±0.22LSB 的相位精度。经进一步改进后可应用于3bit 相位体制DRFM 系统中。
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