实际考虑驱动LED串的DCM升压转换器简化分析
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如果未检测到LED开路故障事件，将会导致过压工作条件。电流感测电阻R29电压反馈将为0V，就会产生环路开路输出过压条件。电路中选择了分立无源元件以应用过压保护功能，在LED系统被从外部关闭时将输出漏电流损耗减至最小。D31齐纳二极管感测过压条件，通过将启用(enable)引脚拉为低电平、中断升压开关工作(D28)，引发控制器IC的软启动(D29)。电阻R30为输出升压能量存储电容C22提供放电通道。
移除跳线J1将关闭LED链，以支持连接至VOUT端子与LED端子之间的外部负载。
电阻R44是频率响应分析仪在VFB与FB端子的信号注入点。它的存在不会影响系统环路响应。通过在R44两端注入频率响应分析仪信号，将可以测量控制输出(FB/VC端子)、放大器(VC/VFB)及闭环形式中的开路增益(FB/VFB)响应。
LED交流动态阻抗特性鉴定
根据制造商数据表中在特定工作条件下测得的特征曲线，可以近似得出LED动态阻抗。系统具体热工作条件可能大不相同。第1部分的文章中介绍了系统LED动态阻抗的系统级方法，这方法对器件进行了系统级热条件下的特性鉴定。就第2部分的文章而言，我们使用频率响应分析仪，在100% PWM占空比的热稳定工作条件下，测量电路内的电流感测电阻、PWM FET阻抗及累积串联动态阻抗(见图3)。
图3：电流感测反馈网络的电路内小信号响应。闭环分析
第1部分的文章中推导出了控制输出(Vout)表达式H(s)。功率提供给LED串，但反馈控制项是LED电流感测电阻电压VRsense (见图4)。受控系统传递函数H(s)必须根据等式(1)来调整。
图4. 电流感测反馈
其中：
Vc可以从等式(8)获得。
在热稳定的系统级工作条件下测量了LED动态阻抗、串联PWM晶体管及电流感测电阻参数。VIN = 12V、Iout = 116mA为工作参数。测得的开环响应Hc(s)波特图及测量结果如图5所示。表1列出了测得的参数，用于计算图1所示的电路图。
表1. 演示板电路参数
在高频时，理论计算与实证阶段测量值之间的差异变得明显。差异归因于等式(1)的调制传递函数分子中缺少RHPZ项，在参考资料[4]的简化计算中被描述为一项局限。
低频增益理论值与测量结果之前的些微差异(约1dB)被观察到。升压电感、晶体管及整流器的工作损耗在推导直流工作点的过程中被忽略。如果顾及这样的损耗，占空比直流 工作点将会略大，导致低频增益减少。通过调整 等式(2)中的Vin (减小输入电压以减小
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