关于单片机EMC的一些建议

2.3当时序约束有足够的余量的时候，通过降低输出能力来减缓内部时钟驱动的边沿。
减少同步开关的峰值电流，和di/dt，一个重要的考虑因素就是降低内部时钟驱动的能力（其实就是放大倍数，穿通电流与之相关型很大）。降低时钟边沿的电流，将显著改善EMI。当然这样做的缺点就是，由于时钟和负载的开通时间的变长使得单片机的平均电流可能增加。快速边沿和相对较高的峰值电流，时间更长边沿较慢的电流脉冲这两者需要做一个妥协。

2.4晶振的内部驱动（反向器）最好不要超过实际的需求。
这个问题，实际上前面也谈过了，当增益过大的时候会带来更大的干扰。

3 设计最小穿通电流的驱动器
3.1 时钟，总线和输出驱动器应尽可能使得传统电流最小
穿通电流【重叠电流，短路电流】，是从单片机在切换过程中，PMOS和NMOS同时导通时候，电源到地线的电流，穿通电流直接影响了EMI和功耗。
这个内容实际上是在单片机内部的，时钟，总线和输出驱动器，消除或减少穿通电流的方法是尽量先关闭一个FET，然后再开通一个FET。当电流较大时，需要额外的预驱动电路或电压摆率。