RF功率器件的设计及应用
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图16是针对TD-SCDMA应用的RF示范电路的典型性能。该电路包括驱动MRF6S21100H分立晶体管的MW6IC2215N RF IC。MW6IC2215N是一款两级HV6 LDMOS RF IC，而MRF6S21100H是一款HV6 LDMOS分立陶瓷晶体管。这些器件在1dB压缩下分别具有15W和100W的额定输出功率。尽管这些器件不是专门用于TD-SCDMA市场，但*估表明它们具有优异的六载波TD-SCDMA性能。在+38dBm输出功率下，线路增益为43dB，未经校正的邻道功率为-51.4dBc，未经校正的相间信道功率为-52.3dBc。
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