单相逆变器智能功率模块应用电路设计
1 引言
智能功率模块(intelligent power module,ipm)以开关速度快、损耗小、功耗低、有多种保护功能、抗干扰能力强、无须采取防静电措施、体积小等优点在电力电子领域得到越来越广泛的应用。以pm200dsa060型ipm为例,介绍ipm应用电路设计和在单相逆变器中的应用。
本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/20970.htm2 ipm的结构
ipm由高速、低功率igbt、优选的门级驱动器及保护电路构成。其中,igbt是gtr和mosfet的复合,由mosfet驱动gtr,因而ipm具有gtr高电流密度、低饱和电压、高耐压、mosfet高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。
根据内部功率电路配置情况。ipm有多种类型,如pm200dsa060型ipm为d型(内部集成2个igbt),其内部功能框图如图1所示,内部结构如图2所示。内有驱动和保护电路,保护功能有控制电源欠压锁定保护、过热保护、过流保护和短路保护,当其中任一种保护功能动作时,ipm将输出故障信号fo。
ipm内部电路不含防止干扰的信号隔离电路、自保护功能和浪涌吸收电路,为了保证ipm安全可靠,需要自己设计部分外围电路。


3 ipm的外部驱动电路设计
ipm的外部驱动电路是ipm内部电路和控制电路之间的接口,良好的外部驱动电路对以ipm构成的系统的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。
由ipm内部结构图可见,器件本身含有驱动电路。所以只要提供满足驱动功率要求的pwm信号、驱动电路电源和防止干扰的电气隔离装置即可。但是,ipm对驱动电路输出电压的要求很严格:驱动电压范围为13.5v~16.5v,电压低于13.5v将发生欠压保护,电压高于16.5v可能损坏内部部件;驱动信号频率为5hz~20khz,且需采用电气隔离装置,防止干扰:驱动电源绝缘电压至少是ipm极间反向耐压值的2倍(2vces);驱动电流达19ma-26ma;驱动电路输出端的滤波电容不能太大,这是因为当寄生电容超过100pf时,噪声干扰将可能误触发内部驱动电路。
图3所示是一种典型的高可靠性ipm外部驱动电路方案。来自控制电路的pwm信号经r1限
流,再经高速光耦隔离并放大后接ipm内部驱动电路并控制开关管工作,fo信号也经过光耦隔离输出。其中每个开关管的控制电源端采用独立隔离的稳压15v电源,且接1只10μf的退耦电容器(图中未画出)以滤去共模噪声。r1根据控制电路的输出电流选取,如用dsp产生pwm,则r1的阻值可为330ω。r2根据ipm驱动电流选值,一方面应尽可能小以避免高阻抗ipm拾取噪声,另一方面又要足够可靠地控制ipm,可在2kω~6.8kω内选取。c1为2端与地间的0.1μf滤波电容器,pwm隔离光耦的要求是tplh<0.8μf,tphl<0.8μf,cmr>10kv/μs,可选用hcpl4503型、hcpl4504型、ps2041型(nec)等高速光耦,且在光耦输入端接1只0.1μf的退耦电容器(图中未画出)。fo输出光耦可用低速光耦(如pc817)。ipm的内部引脚功能如表1所示。

图3的外部接口电路直接固定在pcb上且靠近模块输入脚,以减少噪声和干扰,pcb上布线的距离应适当,避免开关时干扰引起的电位变化。

另外,考虑到强电可能造成外部驱动电路到ipm引线的干扰,可以在引脚1~4间,3~4间,4—5间根据干扰大小加滤波电容器。
4 ipm的保护电路设计
由于ipm本身提供的保护电路不具备自保护功能。所以要通过外围硬件或软件的辅助电路将内部提供的fo信号转换为封锁ipm的控制信号,关断ipm,实现保护。
4.1 硬件
ipm有故障时,fo输出低电平,通过高速光耦到达硬件电路。关断pwm输出,从而达到保护ipm的目的。具体硬件连接方式如下:在pwm接口电路前置带控制端的3态收发器(如74hc245),pwm信号经过3态收发器后送至ipm接口电路,ipm的故障输出信号fo经光耦隔离输出送入与非门,再送到3态收发器使能端oe。ipm正常工作时,与非门输出为低电平,3态收发器选通;ipm有故障时,与非门输出为高电平,3态收发器所有输出置为高阻态,封锁各个ipm的控制信号,关断ipm,实现保护。
4.2 软件
ipm有故障时,fo输出低电平,fo信号通过高速光耦送到控制器进行处理,处理器确认后,利用中断或软件关断ipm的pwm控制信号,从而达到保护目的。如在基于dsp控制的系统中,利用事件管理器中功率驱动保护引脚(pdpint)中断实现对ipm的保护。通常1个事件管理器产生的多路pwm可控制多个ipm工作,其中每个开关管均可输出fo信号。每个开关管的fo信号通过与门,当任一开关管有故障时输出低电平,与门输出低电平,将该引脚连至pdpint,由于pdpint为低电平时dsp中断,所有的事件管理器输出引脚均被硬件设置为高阻态,从而达到保护目的。
以上2种方案均利用ipm故障输出信号封锁ipm的控制信号通道。因而弥补了ipm自身保护的不足,有效地保护了器件。
5 ipm的缓冲电路设计
在ipm应用中,由于高频开关过程和功率回路寄生电感等叠加产生的di/dt、dv/dt和瞬时功耗会对器件产生较大的冲击,易损坏器件。因此需设置缓冲电路(即吸收电路),目的是改变器件的开关轨迹,控制各种瞬态过压,降低器件开关损耗,保护器件安全运行。
图4为常用的3种ipm缓冲电路。图4(a)为单只无感电容器构成的缓冲电路。对瞬变电压有效且成本低,适用于小功率ipm。图4(b)为rcd构成的缓冲电路,适用于较大功率ipm,缓冲二极管d可箝住瞬变电压。从而抑制由于母线寄生电感可能引起的寄生振荡。其rc时间常数应设计为开关周期的l/3,即τ=t/3=1/3f。图4(c)为p型rcd和n型rcd构成的缓冲电路。适用于大功率ipm。功能类似于图4(b)所示的缓冲电路,其回路电感更小。若同时配合使用图4(a)所示的缓冲电路,还能减小缓冲二极管的应力,缓冲效果更好。

在图4(c)中,当igbt关断时,负载电流经缓冲二极管向缓冲电容器充电,同时集电极电流逐渐减少,由于电容器二端的电压不能突变,所以有效地限制了igbt集电极电压上升率dv/dt。也避免了集电极电压和集电极电流同时达到最大值。igbt集电极母线电感、电路及其元件内部的杂散电感在igbt开通时储存的能量,这时储存在缓冲电容器中。当igbt开通时。集电极母线电感以及其他杂散电感又有效地限制了igbt集电极电流上升率di/dt。同样也避免了集电极电压和集电极电流同时达到最大值。此时,缓冲电容器通过外接电阻器和igbt开关放电,其储存的开关能量也随之在外接电阻器和电路、元件内部的电阻器上耗散。如此。便将igbt运行时产生的开关损耗转移到缓冲电路,最后在相关电阻器上以热的形式耗散,从而保护igbt安全运行。
图4(c)中的电阻值和电容值按经验数据选取:如pm200dsa060的电容值为0.22μf一0.47μf,耐压值是igbt的1.1倍~1.5倍,电阻值为10ω~20ω,电阻功率按p=fcu2*10-6计算,其中f为igbt工作频率,u为igbt的工作峰值电压,c为缓冲电路与电阻器串联电容。二极管选用快恢复二极管。为了保证缓冲电路的可靠性。可以根据功率大小选择封装好的图4所示的缓冲电路。
另外,由于母线电感、缓冲电路及其元件内部的杂散电感对ipm尤其是大功率ipm有极大的影响,因此愈小愈好。要减小这些电感需从多方面入手:直流母线要尽量地短;缓冲电路要尽可能地靠近模块;选用低电感的聚丙烯无极电容器、与ipm相匹配的快速缓冲二极管及无感泄放电阻器。
6 ipm在单相全桥逆变器中的应用
图5所示的单相全桥逆变电路主要由逆变电路和控制电路组成。逆变电路包括逆变全桥和滤波电路,其中逆变全桥完成直流到交流的变换,滤波电路滤除谐波成分以获得需要的交流电:控制电路完成对逆变桥中开关管的控制并实现部分保护功能。

图中的逆变全桥由4个开关管和4个续流二极管组成,工作时开关管在高频条件下通断。开关瞬间开关管电压和电流变大,损耗大,结温升高,加上功率回路寄生电感、振荡及噪声等,极易导致开关管瞬间损坏,以往常用分立元件设计开关管的保护电路和驱动电路,导致电路庞大且不可靠。
笔者采用一对pm200dsa060双单元ipm模块分别代替图中v1、d1、v2、d2组合和v3、d3、v4、d4组合构成全桥逆变电路,利用dsp对ipm的控制,完成了中频率20kw、230v逆变器的设计和调试,采用了如上所述的驱动电路、图4(c)中的缓冲电路和基于dsp控制的软件ipm保护电路。设计实践表明:使用ipm可简化系统硬件电路、缩短系统开发时间、提高可靠性、缩小体积,提高保护能力。
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