晶闸管投切电容器的触发电路
中压TSC,根据绝缘要求需要采用脉冲磁环触发。图十一。

图十一 中压TSC采用脉冲磁环触发
采用新触发电路,应用单片机做逻辑时间控制触发2控3电路。
投切电流相对没有冲击,由于第一次投切电容器没有直流电压,是不理想的状态,必然有一定的冲击,当冲击电流与正常稳定电流之比≤1.7倍时,可以认为不影响晶闸管和电容器的使用。投切停止后,电容器上有电网峰值电压,晶闸管在电网电压和电容器直流电压的合成下,存在着过零电压,在过零点触发晶闸管是理想状态,应该没有冲击电流。
新触发电路达到了快速20ms动作,两路晶闸管都动作,无电流冲击,晶闸管在停止时的承受电压低,最大为3倍的有效值电压。
用双踪示波器测试波形.一只表笔测量晶闸管两端的电压和另一只测量晶闸管的电流波形,这样,可以看出晶闸管是否在过零点投入,又可以看出投入时的电流冲击。由于使用两个开关控制三相电路,用双踪示波器分别测量两路的电压电流,就可以完整的观察到触发器运行的效果。A探头为电压,B探头为电流。
图十二为:连续投切的A相晶闸管电压和C相电流的动作波形。
横轴为时间200ms/格,纵轴电压500V/格,电流20A/格。可控硅工作时两端的电压零,线路中有电流,停止时可控硅两端有电压,电流为零。在连续动作中,电流没有冲击。

图十三:又一幅A相晶闸管电压 C相电流。横坐标50ms/格快速动作

图十四:从长期停止态开始工作的A相晶闸管电压 C相电流.
第一周波有点冲击。冲击电流的峰值32A,正常稳定电流峰值为24A,冲击电流/稳定电流=1.33。
电容器相关文章:电容器原理
可控硅相关文章:可控硅工作原理
电流变送器相关文章:电流变送器原理 电容相关文章:电容原理
评论