工程师参考手册（一）：D类功放设计须知
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13、D类功放中MOSFET选择的其他考虑
*选择合适的封装和结构
*功放的THD、EMI和效率，还受FET的体二极管影响。缩短体二极管恢复时间（工R的并联肖特基二级管的FET）;降低反向恢复电流和电荷，能改善THD;EMI和效率。
*FET结壳热阻要尽可能小，以保证结温低于限制。
*保证较好可靠性和低的成本条件下，工作在最大结温。用绝缘包封的器件是直接安装还是用裸底板结构垫绝缘材料，依赖于它的成本和尺寸。
14、D类功放参考设计见图6所示
*拓扑：半桥
*选用IR2011S（栅极驱动IC，最高工作电压200V，Io+/-为1.0A/1.0A，Vout为10-20V，ton/off为8060ns，延时匹配时间为20ns）;IRFB23N15D （MOSFET功率管ID=23A，R DS=90mΩ，Qg=37nC Bv=150V To-220封装）
*开关频率：400KHz（可调）
*额定输出：200W+200W/4欧
*THD:0.03%-1mhz半功率
*频率响应：5Hz-40KHz（-3dB）
*电源：～220v±50V
*尺寸：4.0“×5.5”
15、结论
如果我们在选择器件时很谨慎，并且考虑到精细的设计布线，因为杂散参数有很大的影响，那么目前高效D类功放可以提供和传统的AB类功放类似的性能。
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