ZAM首度亮相：SAIMEMORY在英特尔日本活动上发布新型内存，专为解决散热难题而生

据PC Watch报道，在英特尔宣布与软银旗下子公司SAIMEMORY合作开发Z轴角内存（Z-Angle Memory, ZAM）后不久，该产品于2026年2月3日在“Intel Connection Japan 2026”大会上首次公开亮相。

尽管ZAM与HBM（高带宽内存）的全面性能对比尚待验证，但早期报道已透露出若干突破性优势。Wccftech指出，ZAM有望降低40%–50%的功耗，通过Z轴角互连技术简化制造流程，并实现单芯片最高512GB容量。英特尔在其官方博客中补充称，ZAM原型预计将于2027年推出，大规模量产则计划在2030年实现。

SAIMEMORY：由软银、英特尔与东京大学联合创立

PC Watch介绍，SAIMEMORY成立于2024年12月，并于2025年6月正式运营，是由软银、英特尔和东京大学共同成立的合资企业。在本次日本大会上，由总裁兼CEO 山口秀也（Hideya Yamaguchi）领导的SAIMEMORY正式发布了这款面向AI市场的下一代内存技术——ZAM。

此次活动还吸引了多位英特尔高管出席，包括英特尔政府技术部门首席技术官兼Fellow Joshua Fryman，以及英特尔日本公司CEO小野诚（Makoto Onho），Wccftech报道称。

突破传统内存的物理极限

PC Watch进一步解释，传统高带宽内存（如HBM）采用平面堆叠（planar stacked）结构，但这种设计正因功耗与散热限制而逼近物理极限。目前主流方案已堆叠至16层，业界普遍认为20层已是上限。

相比之下，ZAM（名称源自Z轴）则采用垂直堆叠晶粒（die）的设计。据PC Watch描述，这种架构相比传统DRAM可实现更低功耗、更高容量和更宽带宽。更重要的是，热量能从每一层晶粒均匀向上导出，有效缓解了长期困扰平面堆叠结构的热堆积问题。

Wccftech援引英特尔的说法强调，ZAM架构的核心优势正是其卓越的热管理能力。

基于英特尔NGDB技术，弥合HBM与DDR之间的鸿沟

据《EE Times Japan》报道，这款新型内存预计将依托英特尔的下一代DRAM键合技术（Next Generation DRAM Bonding, NGDB）。美国桑迪亚国家实验室（Sandia National Laboratories）在今年1月的一份更新中指出，当前的高带宽内存往往以牺牲容量等其他性能为代价来换取带宽提升。而NGDB旨在大幅减少此类权衡，在HBM与传统DDR DRAM之间架起桥梁，同时显著提升能效。

SAIMEMORY的合作生态不止于英特尔

值得注意的是，SAIMEMORY的合作网络可能不仅限于英特尔。PC Watch提到，该公司强调其拥有强大的合作伙伴体系，除软银与英特尔外，还包括国内外投资者及供应链伙伴，为其技术研发与产业化提供全方位支持。

随着AI对内存带宽、容量与能效提出前所未有的要求，ZAM所代表的垂直堆叠+先进热管理+高密度集成路径，或将成为下一代AI硬件基础设施的关键突破口。