智能电表设计中如何应用相变存储器PCM
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相变存储器即是英文Phase Change Memory-- PCM 的缩写。就是一种利用六族与第四、五族的化合物作为存储材料的存储器。 该种化合物是一种相态可逆变的物质。可以在有序结构(晶态-低阻)和无序结构(非晶态-高阻) 之间变化。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/201893.htm
通过图片可以看出，电流电压曲线图是从一个ＰＣＭ的存储单元获得。读取操作是工作在电压５００毫伏且电流小于１００微安以下的区间内，所以没有对ＧＳｔ产生加热的效应。晶态和非晶态的存储状态也就没有变化。当电压大于５００毫伏且电流大于５００微安时，电阻加热器就会融化ＧＳＴ材料。此时晶态和非晶体的状态就会发生变化。
基于相变技术的存储器具有三个特性，包括位修改（直接写入），高写入次数，工艺和成本的可延续性。下面图片是对现在流行的存储器之间的比较。
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