基于虚拟仪器的功率三极管热阻测试系统

　　在输出端用的是同步整流技术，在低电压大电流功率变换器中，若采用传统的普通二 极管或肖特基二极管整流由于其正向导通压降大(低压硅二极管正向压降约0.7V，肖特基二 极管正向压降约0.45V，新型低电压肖特基二极管可达0.32V)，整流损耗成为变换器的主要 损耗，无法满足低电压大电流开关电源高效率，小体积的需要。MOSFET导通时的伏安特性为 一线性电阻，称为通态电阻DS R ，低压MOSFET新器件的通态电阻很小，如：

　　IRF2807(75V,82A)、IRL2910(100V,55A)通态电阻分别为0.013Ω、0.O26Ω，它们在通过20A 电流时，通态压降不到0.2V。另外，功率MOSFET开关时间短，输入阻抗高，这些特点使得MOSFET 成为低电压大电流功率变换器首选整流器件。MOSFET的栅-源问的硅氧化层耐压有限，一旦 被击穿则永久损坏，所以实际上栅-源电压最大值在50-75V之间，如电压超过75V，应该在栅 极上接稳压管.并从成本综合考虑，选用IRF2807。需要特别指出的是图中MOS管做为整流 管的接法,有，有些读者可能会认为接法有误，这是由于普通的参考用书没有描述电力MOSFET的正栅压反向输出特性。实际上，电力MOSFET除需要介绍非饱和区、饱和区和截 止区外，还应考虑反向电阻区，反向电阻区与正向电阻区有相类似的沟道特性。这是由于变 压器二次侧电压为交变方波，整流管要承受反压但电力MOSFET是逆导器件，若工作在正向 电阻区将无法整流。

　　在电压输出部分，使用了LC滤波电路，电感电容参数是根据LC滤波中K式滤波器滤波 特性曲线及计算公式计算出来的,并在实验后做了调整。（K式滤波是指串臂阻抗和并臂阻抗 的乘积是一个不随频率变化的常数，量纲为电阻）

　　3.2 控制电路的设计

　　控制电路选用SG3525芯片，它是美国硅通用半导体公司（Silicon General）推出的用 于驱动N沟道功率MOSFET的电流控制型PWM控制器，它具有很高的温度稳定性和较低的噪声等 级，具有欠压保护和外部封锁功能，能方便地实现过压过流保护，能输出两路波形一致、相 位差为180°的PWM信号，有效地减少输出电流的纹波，适合于推挽拓扑电路。从控制芯片 SG3525出来的两路控制信号分别用来控制一个IRFP064N,达到了驱动两个开关管的目的,且 二者电流方向相反。

　　控制电路使用了闭环控制方式令输出电压保持恒定，由检测到的电压经过光耦隔离后传 到SG3525与一个标准值进行比较，以此来调整占空比并相应调整输出电压,如图3反馈电压的 检测,光耦选用7840不但起到了隔离作用使输出电压与输入成比例变化。由于芯片所需电源 不能由输入电源直接提供，所以特用了两个直流稳压小芯片来提供电源，基准源要求稳定的 电压，在SG3525本身所提供的稳压输出的基础上再通过一个TL431的稳压，经过测量完全达 到要求。

　　在输出整流电路中，当整流管Q3的受正向电压导通时，应及时驱动Q3导通，以减小压降 和损耗。

　　4 实验结果和波形分析

　　图5是推挽电路两路门极脉冲波形（示波器幅值*10），两个脉冲基本是相互对称的，方 向相反则励磁方向相反可以避免励磁不平衡，电路此时工作在Vi =11V左右。图5为变压器输 出电压，也就是同步整流管Q3和Q4的驱动信号，由图可以看出上下两个波形是对称的,说明 他们是分别只有为正的时刻才导通。在实验室里用示波器测出了输出电压的波形,纹波并不 大,完全能达到电器类电源的要求。