写MSP430片内flash

MSP430X14X Flash 读写操作总结

开发平台：IAR Embedded Workbench、MSP430F149开发板

作者：谭贝贝

Flash操作注意事项

在读写的过程中电压不能小于2.7V否则擦除和读写的结果将不可预测。Flash的可操作时钟频率为~257KHZ---~476KHZ。如果频率不符合要求，则结果不可预测。

在擦除先需要关闭中断和看门狗，在擦除的过程中如果产生了中断，则会在重新使能中断后产生一个中断请求。Flash只能从1写为0，不能从从0写为1，所以需要擦除。

可以被擦除的最小模块是片段，tAll Erase = tMass Erase = 5297/fFTG, tSeg Erase = 4819/fFTG。

Flash ERASE

MSP430X14X的擦除模式可以从Flash或者RAM中进行。

从Flash中擦除

从Flash中擦除的过程中所有的定时都会被Flash控制，CPU被挂起。擦除完成后需要一个假写入CPU才能复位。从Flash擦除时有可能把后面CPU需要执行的代码擦除。如果发生这样的情况，在擦除后CPU的执行状况将不可预测。

Flash中擦除流程图

图片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

从RAM中擦除

从RAM中擦除时CPU不会被挂起，可以继续执行代码。必须检测BUSY位以判断擦除是否结束，如果在擦除的过程中（即BUSY=1时）访问Flash，这是一个违规的访问，ACCVIFG会置位，而擦除的结果也将不可预测。

RAM中擦除流程图

图片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

Flash Write

MSP430X14X有两种写入模式，分为段写入（byte/word write），和块写入（Block Write），块写入要快得多，但是操作麻烦，在擦除的过程中不能有一个Flash word(low + high byte)，则会发生损坏。CPU不能在BUSY=1时访问Flash，否则ACCFIG将置位写入将不可预测。

1.Byte/Word write

Byte/Word 写入可以从Flash或者RAM初始化，当从Flash中初始化时，所有的定时都会被Flash控制，CPU被挂起。写完后CPU将继续执行后面的代码。

当从RAM中初始化时，BUSY必须在CPU访问Flash前置0.否则ACCFIG将被置位，写入的结果将不可预测。

在Byte/Word 写模式下写入总时间不能超过4ms,如果超过了，当再想这块任何地址写入数据时必须先擦除。

Byte/Word 写入流程图

从RAM中执行Byte/Word 写入

块写入

块写入时没一小块不能超过t_cpt=4ms,块写入只能从RAM中进行，在块写入的过程中WAIT位要置0，当想Flash中写入数据时，需要先检查WAIT位是否为1.当前块写完后BLKWRT要清0.

流程图

图片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html

在擦除或者写入的过程中访问Flash，见下表

Flash的寄存器

FCTL1，选择擦除和写入模式的寄存器

FRKEY/FWKEY 高八位为密码读的密码为96h，写的密码为A5h。

BLKWRT 块写入模式选择位，可以自动被EMEX置位

WRT 字写入模式选择位，可任意自动被EMEX置位

MERASE和ERASE，擦除模式选择位

FCTL2时钟选择寄存器

FWKEYx密码位

FSSELx时钟选择位

FNx分频比 分频值等于FN+1

两个例子

#include

#include "BoardConfig.h"

void Write_A(uchar value);

void Copy_A2B(void);

void main( void )

{

// Stop watchdog timer to prevent time out reset

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

BoardConfig(0xb8);

FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; //Select source

uchar value = 0;

for(;;)

{

Write_A(value++); //Write data to segment A

Copy_A2B(); //Copy data from segment A to segment B

_NOP();

}

}

void Write_A(uchar value)

{

uchar i;

uchar *Flash_ptr;

Flash_ptr = (uchar *)0x1080;

FCTL1 = FWKEY + ERASE; //Set ERASE mode

FCTL3 = FWKEY; //Clear LOCK

*Flash_ptr = 0; //Dummy write

FCTL1 = FWKEY + WRT;

for(i = 0;i < 128;i++)

{

*Flash_ptr++ = value; //Write value

}

FCTL1 = FWKEY; //Clear WRT

FCTL3 = FWKEY + LOCK; //Set LOCK

}

//Copy data from B to A

void Copy_A2B(void)

{

uchar *Flash_ptrA;

uchar *Flash_ptrB;

uint i;

Flash_ptrA = (uchar *)0X1080;

Flash_ptrB = (uchar *)0x1000;

FCTL1 = FWKEY + ERASE;

FCTL3 = FWKEY;

*Flash_ptrB = 0;

FCTL1 = FWKEY + WRT;

for(i = 0;i < 128;i++)

{

*Flash_ptrB++ = *Flash_ptrA++;

}

FCTL1 = FWKEY;

FCTL3 = FWKEY + LOCK;

}