新闻中心

EEPW首页 > 嵌入式系统 > 设计应用 > PIC12F617 关于内部FLASH的操作

PIC12F617 关于内部FLASH的操作

作者: 时间:2016-11-18 来源:网络 收藏
根据PIC12F617单片机的datasheet,已经写清楚关于FLASH的操作时序,我们只需要进行一系列的配置和读写时序操作即可。

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/201611/315993.htm

void flash_write(unsigned short addr,unsigned int value) //写FLASH函数
{
unsigned char i;
for(i=0;i<4;i++)
{
PMADRL=(((addr)&0xfc)|i); //低地址时序操作,需要连续四次的写入缓冲操作,当执行到第四次时,

//硬件会自动擦除相应FLASH然后写入
PMADRH=((addr)>>8);
PMDATH=((value)>>8);
PMDATL=((value)&0xff);
WREN=1;
GIE = 0; //关中断
PMCON2 = 0x55;
PMCON2 = 0xaa; //固定操作
WR=1;
NOP();
NOP();
WREN=0;
GIE = 1; //开中断
}
}

unsigned int flash_read(unsigned short addr) //读FALSH函数
{
unsigned int val;
PMADRL=(addr)&0xff;
PMADRH=(addr)>>8;
//WREN=0;
GIE = 0; //关中断
PMCON1 |= 0x80;
RD=1;
NOP();
NOP();
val = ((PMDATH << 8) | PMDATL);
GIE = 1; //开中断
return val;
}



关键词: PIC12F617内部FLAS

评论


技术专区

关闭