一种V波段近距探测毫米波功率放大器设计
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当合成网络中所有功率器件均处于饱和工作状态时，对单级损耗为0．3 dB，3级功率合成，由损耗引起的合成效率为80％；若计合成支路间最大幅度和相位不平衡程度分别为3 dB、30°，引起相应合成效率为90％；对8路功率合成，总的合成效率为
当器件饱和工作时，8路合成输出为17+7．07=24.07 dBm或255 mW，满足技术指标要求。电路各部分损耗为4 8 dB，整个合成放大器小信号增益约为29.2 dB。
1．3．2 两路功率分配／合成网络
在毫米波固态集成功率合成技术的研究中，有一种两路波导微带集成功率分配／合成网络，如图3所示。该结构由两路面对面微带探针经波导E面插入，实现同相宽带功率分配／合成，同时又完成波导与微带间的过渡转换。两微带线处于面对面位置，当集成固态功率器件时，可提供良好的散热通道，保证器件可靠工作和性能发挥。为获得足够的固态功率器件安装空间，适当增加合成网络部分波导尺寸，为满足标准波导端口条件，根据工作带宽要求，选择适当的波导阻抗变换段。电磁场分析表明，在55～60 GHz范围内，该结构损耗2 dB，与单个波导微带过渡结构相当；由于结构对称原因，两微带端口具有良好的幅度和相位平衡特性。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/187366.htm
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