2 特性模拟
2．1 阈值电压特性
首先，我们用模拟软件MEDICI仿真了叠栅MOSFET与单栅MOSFET的阈值电压，对仿真结果做比较，将不同沟道长度阈值电压特性以及阈值电压的变化率展现出来。所用的两种结构除了栅结构不同外，其它参数都相同(如沟道掺杂情况、源漏情况、沟长等)。具体掺杂数值如表1，
为了仿真其阈值电压特性，接法上将源端、衬底接地，漏端加一个较小电压VDS=0．10V，单栅氧化层厚度tox=2．0×10-6cm，叠栅的两个栅氧化层厚度都是tox=2．0×10-6cm。仿真结果如图2所示。
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