一种高精度低电源电压带隙基准源的设计
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3．3 部分关键参数的设计
在室温下，设计双极型晶体管的面积比n=8，计算出电压的温度系数
为保证式(8)的温度系数为0，那么
，为了降低运算放大器的输入R21和R22的电阻比值设定为1．5，为保证输出约在0．9 V，电阻R3和R2的比值为
，经Hspice模拟，设计的电路参数为R21=120 kΩ，R22=80 kΩ，R0=20 kΩ，R3=150 kΩ。4 模拟结果
基于UMC 0．25μm CMOS工艺，采用Hspice对设计的电路进行仿真验证。图5为电源电压为1．5 V，输出基准电压为900 mV时的输出温度特性，在-40～120℃的温度范围内，输出基准电压变化为1．3 mV，设计的电路具有较好的温度特性。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/179656.htm
图6为输出基准电压随电源电压的变化，当电源电压下降到1 V时，输出基准电压迅速下降，电源电压在1．1～3．5 V之间变化时，输出电压变化约为2 mV，电路的输出电压随电源电压的变化小。
设计的基准电压源主要性能参数，如表1所示。
5 结束语
在传统CMOS带隙基准源的基础上，本文采用0．25μmCMOS工艺，运用正负温度系数电流求和的原理，设计了0．9 V带隙基准电压源，电源电压可以降低至1．1 V，温度系数为8．1×10-6／℃，而且基准电压的输出可以根据需要进行调节，仿真结果表明了设计的正确性，加上输出缓冲器，该电路可以集成到芯片内部作为其内置基准源。
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