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仿真微调：提高电力电子电路的精度

• 在电力电子和电路仿真领域，精度至关重要。仿真结果的真实性取决于各个器件所采用模型的准确性。无论是 IGBT、碳化硅 (SiC) 还是硅 MOSFET，仿真预测的可靠性与模型的精度密切相关。老话说得好，“垃圾进，垃圾出”，即如果输入的是垃圾，那么输出的也是垃圾。设计人员根据产品手册中在实验室环境下测量出的器件特性（如导通损耗、能量损耗和热阻等），构建系统级模型，大多数行业标准模型也都是如法炮制。然而，这些基于产品手册的模型是实验室配置和环境的产物，并不总能反映实际中遇到的各种条件。因此，不可想当然地认为这些
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