用PQFN封装技术提高能效和功率密度

表1 几种封装的对比

　　基于所有上述特性，PQFN5×6铜片封装具有与DirectFET封装(未使用顶部冷却)相似的性能，这实现了性能的大幅提升，同时能利用最新硅技术实现其所有的优势。在通常采用多个并联SO-8 MOSFET的设计中，PQFN 5×6铜片技术可用单个器件代替两个或更多传统器件，从而简化设计并提高可靠性。利用单个器件取代多个器件对于尺寸严格受限的电源(如1/2砖或更小尺寸的电源模块)而言同样是一大优势。例如，图4显示了现有砖型电源的次级同步整流效率曲线。这是一种通用设计，次级的每个脚采用两个并联MOSFET。利用IR公司提供的PQFN器件，我们可以用单个低导通电阻PQFN取代2个并联MOSFET，并实现更优的全负荷效率。

图4 IR的PQFN器件在次级整流应用中比竞争器件表现更好

　　本文小结

　　对更高能效、更高功率密度和更高可靠性的要求是并将一直是电源设计人员面临的挑战。同样，增强型封装技术对于实现这些改进也至关重要。PQFN技术提供了一个灵活开放的封装平台，能为那些着眼于SO-8性能水平以上的设计人员提供所需的改进。当利用经优化的铜片结构进行改良之后，PQFN 5×6封装可提供近似于DirectFET(无需顶部冷却)等高性能专有封装技术的性能，不过DirectFET的能效和功率密度仍然最高。