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开关电源EMC总结

作者: 时间:2013-03-14 来源:网络 收藏

对于20--30MHZ,

1.对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置;

2.调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值;

3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。

4.改变PCB LAYOUT;

5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;

6.在输出整流管两端并联RC 滤波器且调整合理的参数;

7.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE;

8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。

9. 可以用增大MOS 驱动电阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速开通关断引起,

1.可以用增大MOS 驱动电阻;

2.RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管;

3.VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决;

4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;

5.在MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收电路;

6.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE;

7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;

8.PCB 心LAYOUT 时大电解电容,变压器,MOS 构成的电路环尽可能的小;

9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起,

1.可以在整流管上串磁珠;

2.调整输出整流管的吸收电路参数;

3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻;

4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。

5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

200MHZ 以上 已基本辐射量很小,一般可过EMI 标准。


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关键词: 开关电源 EMC

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