用于逆变器应用的耐用型650V沟道IGBT

图3显示额定值为50A的新场截止沟道IGBT、FGH50T65UPD及其竞争产品的另一权衡取舍。FGH50T65UPD显示10A和20A的权衡取舍，这是多数应用中的实用工作电流水平。基于这些特性，估计系统中的功率损耗。目标系统是3kW额定混合频率全桥逆变器。两个低端IGBT在线路频率下切换，两个高端IGBT在17kHz切换。估计的功率损耗在图4中总结。要验证功率损耗估计值，使用两个IGBT评估系统效率;FGH50T65UPD和竞争产品3 IGBT(与FGH50T65UPD具有类似的功率损耗)。图5显示3kW逆变器系统的测量效率。竞争产品3 IGBT在全负载时接近FGH50T65UPD。这与估计值相匹配。此外，效率差距随着负载的减小而变大。这也与图3相符，图3中显示当电流水平较低时FGH50T65UPD的性能优于竞争产品。

图3 PV逆变器效率

图4 功率损耗估计

图5 混合频率全桥逆变器效率

结论

上文已介绍新的650V场截止沟道IGBT并评估了其性能。新的IGBT比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，新场截止沟道IGBT可实现高效和可靠的逆变器系统。