稳定低噪声放大器中晶体管工作点的设计方法(下)

匹配步骤与设计过程修正之前完全相同。首先计算负载阻抗(根据经过“稳定性”修正的S参数和基于噪声参数的给定源负载)，然后用集总元件表示之。

精确计算得出的电容和电感数值并非标称值，因此还须借助实际无源器件模型加以规范。为了使得仿真结果更加有效，电容值尤其需要借助一系列容性阻抗模型标准化。这些工作在第四个设计步骤中完成，该步骤这里不再详述。需要强调的主要一点是以上描述的技术能够使K因子提高。这项技术还可以应用到其它晶体管和不同规格的器件设计中。

实际应用时须考虑的问题

稳定电阻Rstab可以有多种方法实现，如图7a所示。为了清楚起见，本文以下部分都忽略了输入和输出端的匹配电路。用于相邻级之间DC阻断的电容也不作考虑。应用例中显示的是双极型晶体管，注意该例也同样适用于FET。

最常用的偏置方法是在设备的RF输出端和DC源之间并联一个电容(图7b)，现在最主要的问题是如何接入稳定电阻Rstab。图7c是Rstab最简单的实现方式，该电阻直接与地相连，因此具有直流工作特性。这样做的缺点是从电源引入了额外的直流电流I=Vcc/Rstab。整个系统不是由电池供电时这可能不会成为主要问题。

图7d则正好与图7c相反，Rstab并不引入任何直流分量，其频率响应由电容C决定。因为直流电源通常并联高值电容(uF量级)，这样做不会带来什么麻烦。当电源电压直接偏置晶体管时，这样配置的优势最为明显。注意Rstab通过一个偏置电感Lc短路，因此直流情况下完全可以忽略。

如果电源电压过高，则须采用图7e和7f中的配置。Rstab被用于降低电压。一旦集电极(漏级)电流固定，电压的下降幅度就可以定量计算。通过设置集电极(漏级)电流就能借助Rstab使电压下降预期的幅度，见图7e。如果还要进一步降低电压，则可利用Rstab和R1共同实现所需要的阻值。注意两电阻之间必须连接一个电容，使得Rstab在RF环境中有效地工作。