大容量存储器集成电路的测试

摘要：介绍了有关大容量存储器集成电路测试系统的软件原理和硬件构成，对大容量存储器集成电路的测试方法作了初步探讨，希望对实现实验室精确测试和生产中大批量芯片中测和成品测试有所帮助。

关键词：测试系统： 存储器集成电路： 块； 页

中图分类号：TN407 文献标识码：A 文章编号：1004-4507(2005)05-0049-04

目前国内电脑内存条及配套产品、语言复读机、DVD机以及数码相机、数码录音、MP3等方面，对存储器电路需求量超过8000万只，随着各类电子产品的数码化和大容量化，对存储器电路的需求还将大幅增长，对存储器集成电路测试系统的需求也就越来越迫切。 大容量存储器集成电路的测试系统是科技型中小企业技术创新基金项目，是根据大容量存储器集成电路SDRAM、DDR SDRAM和：flash RAM的发展趋势而研究开发的测试系统。方案的主要内容为测试方法和测试程序研究开发，其次是测试板、适配器及生产性测试设备的研制和设备结构制作和调试等。特点是基于大容量存储器集成电路的结构，采用全新的测试技术理论和较通用的测试设备，实现实验室精确测试和生产中大批量芯片中测及成品测试。目前对高兆位存储器电路能大批量测试的设备非常昂贵，低价的专用存储器电路测试仪又不能满足测试的可靠性和通用性要求，因此该项目将大大提高国内存储器电路的生产能力，降低产品成本，提高存储器电路的可利用率，有显著的经济效益和社会效益。

1 测试系统的基本原理

根据大容量存储器电路的技术特点，不论EEPROM、DRAM、SDRAM、FLASRAM等，都有快速块(BANK)、页(PAGE)、单个单元和连续多个单元这4种不同的读和写方式。本系统充分利用不同的读和写方式进行测试，首先以页面方式测试存储单元读和写的正确性，再以块方式测试连续写入固定数据的准确性，然后连续多个单元方式写入变化数据的稳定性，最后测试在单个单元写连续循环变化下数据的可靠性，按这样顺序运行4种不同的测试模块，能非常准确地对存储器电路的各种状态进行分析测试，对大容量存储器电路SDRAM和flash RAM的测试项目以及存储单元的可测试度为100％，系统定时精度