数字电源控制模拟控制能力
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本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/124365.htm
(图字：占空比(标称值变化百分比)，损耗(W))
因此，由于占空比可以作为测量相对损耗的方法使用，可以在数字实现过程中改变参数，并对占空比的影响情况进行监测。如果占空比增加，则可以在相反的方向调整参数，可以减少占空比(和相对损耗)。
死区时间是高侧FET关断和低侧FET导通之间的时间，反之亦然。如果死区时间过长，体二极管导通代表可能会出现损耗。如果死区时间太短，那么就可能发生交叉导通，也引入了损耗，如图11所示。
(图字：损耗(W)，H-L延迟(ns))
在大多数设计中，最佳死区时间不是固定值。图12显示了几种情况下低侧栅极信号和开关节点的波形。上图为60纳秒时的固定死区时间。左上图是电流为1安培的情况，右上图是20安培负载电流的情况。请注意，也就是说，波形之间的相对差额在中电压范围。还要注意，在20安培情况下，开关节点电压中有一些下冲，这表明死区时间过长(导致体二极管导通)。
(图字：Sw节点，LS门)
下图有12纳秒的固定死区时间。请注意，在这种情况下，在电流函数痕迹之间差别不大。因此，理想的死区时间可能无法由一定的电压波形来确定。理想的死区时间很可能是负载电流的一个函数。请注意，开关节点电压过冲说明有交叉导通，即这种情况说明死区时间太短。
图13显示了分别使用60纳秒和28纳秒最佳死区时间设置的1安培和20安培的波形。请注意，开关节点的下冲或过冲较少。
因为我们知道，相对损耗可以通过占空比测得，数字控制可以改变死区时间，同时观察占空比，从而优化了转换器的效率。该算法可优化随负载变化，以及温度变化，及器件老化的效率，得到最佳效率。
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