安森美高能效计算机电源方案概览及新品撷英

作者：时间：2011-01-20 来源：电子产品世界

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值得一提的是，NCP6151、NCP6121、NCP6131和NCP6132是安森美半导体配合第二代IntelCore处理器系列(即Sandy Bridge)最新推出的高能效电源管理器件。它们均提供用户可配置的相位配置，集成真正的差分电压感测、差分电感直流电阻(DCR)电流感测、输入电压前馈，以及用于精确稳定电源的自适应电压定位功能。每款器件均提供分离(split)电流环路配置，缩短调谐(tuning)时间及降低复杂度，进而简化设计入选(design-in);其中，结合了DCR电流感测功能的双缘PWM对动态负载事件提供最快的初始对应。控制环路的非线性瞬态对应满足高性能应用的要求，而30 mV/s的转换速率，结合前馈功能，将充电和放电时间缩至最短，用于高能效工作。轻载工作期间自动“切相”至单相工作，进一步提升了能效。这几款器件中，NCP6151是用于服务器应用的2/3/4相CPU控制器及单相图形处理器(GPU)控制器，NCP6121是用于台式机的1/2/3相CPU控制器及单相GPU控制器，而NCP6131是用于笔记本的3相CPU控制器及单相GPU控制器。

　　这些NCP61xx控制器结合安森美半导体提供的业界最小MOSFET驱动器NCP5901(采用SOIC-8 Narrow Body或DFN8 2.0x2.0x0.9mm)或NCP5911集成，以及优化了能效的新的NTMFS49xx、NTTFS49xx、NTD49xx或NTMS49xx高端稳压MOSFET，使客户能够创建用于客户端级和企业级的完整供电方案。这系列的11款新的高能效MOSFET使用先进硅技术，经过了优化，在降压转换器控制端应用中提供最佳的开关性能。每款新器件均提供极低的门电荷(Qg)和门阻抗(Rg)，将开关损耗降至最低，并改善信号质量;提供低电容，将驱动器损耗降至最低;提供低导通阻抗(RDS(ON))，提高总能效。图1中分别显示的是结合采用这些器件的台式机和笔记本Vcore电源方案的应用电路图。

本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/116300.htm

　　图2：台式机及笔记本Vcore电源方案应用电路图。

　　系统电源、芯片组及DDR电源控制器方案

　　安森美半导体除了提供用于CPU电源管理的方案，还提供用于系统电源、芯片组及DDR存储器的电源控制器方案(参见表1)。以上网本应用为例，除了可以采用ADP3211A单相降压控制器用于CPU电源管理，还可使用安森美半导体用于系统电源、芯片组及DDR电源的不同控制器方案。

　　例如，在上网本应用中可以采用安森美半导体的单同步整流降压控制器NCP5217。这器件是系统、I/O及存储器性能最佳的电源方案之一，支持4.5 V至27 V输入电压范围，可提供3.3 V至0.8 V的更宽范围电压，具备全面的保护功能，还具备提高轻载能效的可选择省电模式。此外，NCP5217提供的前馈(feed forward)控制，可以在上网本应用出现较大的输入电压变化时仍能提供恒定的输出电压。这种控制架构使各组电源间交错工作，能够降低输入电容的物料单成本。