氧化物TFT成为今年IDW主角

　　东芝：通过中间退火工艺来确保可靠性

　　东芝发表了通过优化中间退火工艺确保了可靠性的IGZO TFT(演讲编号：AMD9-2)。TFT的构造为带有刻蚀阻挡层的反错列型(Inverted Staggered Type)。与形成S/D金属后在N2气体中进行250℃最终退火不同，此次是在形成刻蚀阻挡层后加入了320℃中间退火工序，使可靠性得到了提高。虽然个人认为通过追加中间退火来提高可靠性是较为合理的做法，但还有不同见解认为，“通过在2%的H2中进行200℃混合气体退火，也可凭借陷阱密度的减少使可靠性得到改善”。

　　东芝利用该IGZO TFT试制了有机EL面板。面板的指标如下。3.0英寸，160×RGB×120像素，像素电路为简单的2T 1C，底面发光型，采用“白色有机EL+彩色滤光片”方式。开口率为40%。发光范围内(36点检测)的发光均一度为1.1%(50cd/m2)，TFT的均一性出色，无需配备偏差补偿电路。

　　工艺开发趋势日益明显

　　此次的IDW凸显出了氧化物TFT在工艺开发上的大趋势。在非结晶硅及多结晶硅TFT领域，业界正在开发通过氢化处理填充悬空键后尽量去除氢的工艺，而在氧化物TFT方面，由于氢会导致氧缺陷，因此还需要开发尽量减少氢影响的工艺。由不得不加入的氢所导致的缺陷必须要通过后退火进行恢复。相反，只要能够充分控制这一氢影响，实用化就只是时间问题了。