用于确保信号完整性的ESD保护器件新结构
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从图2对1.65Gbit/s数据率信号的眼图测量中，比较左上角采用0.6pF电容的ESD保护器件测得的眼图与右下角未使用ESD保护器件测得的眼图可见，ESD保护器件的电容越低，对信号质量退化的影响越小。图2中左下角和右上角显示了ESD保护器件的电容分别是2.5pF和3.5pF时眼图质量变差的情形。
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/101086.htm
降低ESD保护器件电容的新结构和材料
为了克服传统ESD保护二极管的局限，多年前安森美半导体已经采用突破性的工艺技术，将超低电容PIN二极管和大功率TVS二极管集成在单个裸片上，从而实现高性能片外ESD保护解决方案。这种集成型ESD保护技术既保留了传统硅TVS二极管技术的良好钳位和低泄漏性能，又将电容大幅降低至0.5pF。0.5pF的总电容使ESD保护器件适用于USB2.0高速(480Mbit/s)和高清多媒体接口(HDMI)(1.65Gbit/s)等高速应用。
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