2008年12月8日，中芯宣布首批45纳米产品通过良率测试

　　2008年12月8日，中芯国际集成电路制造有限公司宣布其第一批45纳米产品已成功通过良率测试，此时距2007年12月该公司与IBM签订45纳米低功耗和高性能bulkCMOS(互补金属氧化物半导体)技术许可协议不到1年时间。