挑战5nm单次曝光！ ASML携蔡司研发新一代Hyper NA EUV设备

ASML已着手研发下一代先进光刻机设备，为未来十年的芯片产业做准备。该公司技术执行副总裁Jos Benschop对外透露，ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）一道启动了5纳米分辨率的Hyper NA光刻机开发，并补充这项技术将足以满足2035年及之后的产业需求。

ASML最近才开始出货业界最先进设备，已可达到单次曝光8纳米分辨率。相较之下，较旧设备需多次曝光才能达到类似分辨率。

Benschop指出，公司正与蔡司进行设计研究，目标是实现数值孔径（NA）0.7或以上的系统，目前尚未设定具体上市时间表。

数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。 当NA越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。

目前标准EUV设备的NA为0.33，最新一代High NA EUV则提升至0.55。 而ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进，需要重新设计几个关键系统。

ASML目前已向英特尔、台积电交付首批High NA EUV设备，不过 Benschop表示，大规模采用仍需时间，产业界必须先验证新系统的性能，并开发配套材料与工具，才能全面启动，「这次新设备的导入与历年来推出的创新工具情况类似，通常要几年后才会进入大量产出阶段。 客户需要学习如何操作，但我相信它很快会被用于高产能的芯片制造流程中“。