资本支出首超300亿美元，三星投下“震撼弹”，NAND Flash供应将大幅增加！

据媒体报道，由于半导体芯片的强劲需求，三星半导体事业部2021年资本支出有望首度突破300亿美元。

强劲的财务增长是支持三星不断提升投资额度的坚实后盾

虽然2020年突如其来的“新冠”疫情给世界经济带来了严重创伤，但是半导体芯片却是为数不多继续保持增长的行业之一。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2020年全球半导体存储市场规模预计达1220亿美元，同比增长13%，其中NAND 560亿美元，DRAM 660亿美元。

而三星作为把控着全球近四成半导体存储芯片产能的第一大供应商，自然是首要获利者。根据三星第三季度财报，由于手机和PC、笔记本产品出货量高于预期，再加上LSI系统业务利润和代工业务订单增加，抵消了部分不利的影响，使得三星第三季度营收实现了有史以来最高的历史记录，半导体营业利润也同比大涨。

数据来源：三星，中国闪存市场整理

近日三星发布了2020第四季度财务预测，在三季度较高的收入基准之下，环比销售、利润出现下滑，但是同比依旧呈增长之势，尤其营业利润同比涨幅达25.7%。

预计2021年三星的投资重点将更加侧重NAND Flash及晶圆代工领域，DRAM投资或将趋缓

根据媒体报道，三星电子已经向半导体设备供应商提供了2021年设备采购计划，资本支出将进一步提升20%到30%，意味着2021年三星全年资本总支出将达约318亿美元。

数据来源：三星，中国闪存市场整理

根据目前各大原厂公布的投资扩产情况，2021年仅SK海力士M16工厂和美光A3工厂两家DRAM厂区即将投入生产，而三星即将投产的厂区均为NAND Flash工厂。

除NAND Flash领域之外，自2020下半年发酵的晶圆代工产能紧缺影响不断扩大，导致了电源管理IC、面板驱动IC、CMOS图像传感器、部分功率器件及MCU缺货和涨价问题都非常严重。近日，联电竹科力行厂突发停电将令本就紧张的8英寸晶圆产能更加雪上加霜。

三星在2019年就宣布誓要成为世界领先的存储半导体和逻辑芯片领域的领导者。此前就有市场消息称，三星计划2021年将大部分投资用于NAND Flash、晶圆代工等，DRAM则维持2020年的水平，较为保守投资。

而在DRAM领域，由于市场集中性更为显著，近日美光发布2021财年Q1财务业绩时表示，DRAM已经过了谷底，预计2021年DRAM行业需求增长将达到15%以上，而DRAM行业bit供应量因为2020年原厂严控资本支出而低于需求。正与三星不谋而合，因此预计2021年DRAM供应将供不应求。