- 依托在串行EEPROM技术领域的积累和沉淀，意法半导体率先业界推出了串行页EEPROM （Serial Page EEPROM）。这款全新类别的EEPROM 是一种SPI串行接口的高容量页可擦除存储器，擦写灵活性、读写性能和超低功耗独步业界，前所未有。意法半导体新的串行页EEPROM产品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在适当的时候增加16Mbit 和 8Mbit 产品。这个创新架构让设计人员能够在同一存储器上管理固件和灵活存储数据，这种组合在以前是没有的。更高的存储器集成度可以减少终端产品
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意法半导体 非易失性存储器
- 基于不断发展的硅技术的集成电路使得集成了若干模块的复杂SoC的制造得以实现。最早的SoC是微控制器，其中包括...
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系统级芯片 纳米晶 非易失性存储器
- 随着消费者要求新产品定期增加功能或提高应用灵活性，开发人员对修改系统应用功能的快捷性和简便性要求越来越高。从存储器角度看，这预示着可能需要用性能更高、合格检测更快的先进产品更换现有产品。新一代非易失性
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非易失性存储器
- 随着消费者要求新产品定期增加功能或提高应用灵活性，开发人员对修改系统应用功能的快捷性和简便性要求越来越高。从存储器角度看，这预示着可能需要用性能更高、合格检测更快的先进产品更换现有产品。新一代非易失性
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非易失性存储器
- 本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。铁电存储器(FeRAM)铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储
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FeRAM MRAM OUM 非易失性存储器
- 随着消费者要求新产品定期增加功能或提高应用灵活性，开发人员对修改系统应用功能的快捷性和简便性要求越来越高。从存储器角度看，这预示着可能需要用性能更高、合格检测更快的先进产品更换现有产品。新一代非易失性
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非易失性存储器
- 在“VLSI Symposium on Technology”首日举行的自由发表会“Will Emerging Non-Volatile Memories Finally Emerge?”(新型非易失性存储器终会实现吗?)上，东芝、韩国三星电子、韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)、美国美光科技(Micron Technology)以及台湾台积电(TSMC)等大型半导体厂商的负责人纷纷登台，对非易失性存储器技术的未来进行了展望。
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东芝 非易失性存储器
- 世界黄金协会(WGC)日前出版了一期《黄金资讯》专刊，着重论述黄金在电子产品中的应用。这期专刊的内容包括对键合金线、电镀等当前应用技术的探讨，以及黄金在高端电子领域的一些新兴应用。这些应用包括：使用黄金纳米粒子来提高闪存设备容量，以及低温金墨印刷应用。这期专刊的供稿者包括来自领先工业和学术中心的研究人员。请键入文字或网站地址，或者上传文档。
世界黄金协会工业总监兼《黄金资讯》编辑理查德·霍利迪博士(Richard Holliday)表示：“这期专刊凸显了电子行业对于黄金
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电子 非易失性存储器
- 随着消费者要求新产品定期增加功能或提高应用灵活性，开发人员对修改系统应用功能的快捷性和简便性要求越来越高。从存储器角度看，这预示着可能需要用性能更高、合格检测更快的先进产品更换现有产品。新一代非易失性
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非易失性存储器 可配置性
- 世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速读/写性能、低电压运行，以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存储器，工作电压为2.7V至3.6V，采用8脚SOIC封装，使用二线制 (I2C) 协议;并提供快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的读/写次数 (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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Ramtron F-RAM 非易失性存储器 NoDelay SOIC
- 摘要：首先阐述Cypress公司的可编程片上系统(PSoC)的动态配置能力及其实现结构，概要地列出几种对PSoC微控制器在系统编程（ISP）的方法；在此基础上分析CY8C26443-24PI通过。
关键词：可编程片上系统 在系统编程 闪速存储器 非易失性存储器 嵌入式微控制器
引言
随着集成电路应用的飞速发展，片上系统的结构变的越来越复杂，这对嵌入式微控制器（Embedded MCU）的性能提出了更高的要求。和目前的16位甚至32位的微控制器相比，8位微
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可编程片上系统 在系统编程 闪速存储器 非易失性存储器 嵌入式微控制器 MCU和嵌入式微处理器
非易失性存储器介绍
非易失性存储器是断电后仍然能够保持数据的存储器，这也是与易失性存储器最大的区别。具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 新型易失性存储器分别为1.铁电存储器（FeRAM）2.磁性随机存储器（MRAM）3.相变存储器（OUM）。 FeRAM、MRAM和OUM这三种存储器与传统的半导体存储器相比有很多突出的优点，其应用远景十分诱人。近年来，人们对它们的研究己取得了可喜的进展，尤其是FeRAM [
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