- 英飞凌科技股份公司近日推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计，并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此，SSO10T TSC适用于电动助力转向（EPS）、电子机械制动（EMB）、配电、无刷直流驱动器（BLDC）、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。SSO10T TSC的占板面积为5
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英飞凌 功率MOSFET SSO10T TSC 顶部冷却封装
- ● 全新射频功率器件顶部冷却封装技术有助于打造尺寸更小巧、轻薄的无线单元，部署5G基站更快、更轻松● 简化设计和制造，同时保证性能 荷兰埃因霍温——2023年6月9日——恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI）宣布推出顶部冷却式射频放大器模块系列，其中采用的创新封装技术有助于为5G基础设施打造更轻薄的无线产品。尺寸更小的基站可以提高安装的便利性和经济性，同时能够更分散地融入环境。恩智浦的GaN多芯片
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恩智浦 射频功率器件 顶部冷却封装 5G无线产品
- 【2023年4月13日，德国慕尼黑讯】追求高效率的高功率应用持续向更高功率密度及成本最佳化发展，也为电动汽车等产业创造了永续价值。为了应对相应的挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）宣布其高压MOSFET 适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。这项举措不仅进一步巩固了英飞凌将此标准封装设计和外型的TSC 封装推广至广泛新型设计的目标，也给OEM 厂商提供了更多的弹性与优势，帮助他们在市场中创造差异化的产品，并
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英飞凌 QDPAK DDPAK 顶部冷却封装 JEDEC
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