- ● 全新射频功率器件顶部冷却封装技术有助于打造尺寸更小巧、轻薄的无线单元,部署5G基站更快、更轻松● 简化设计和制造,同时保证性能 荷兰埃因霍温——2023年6月9日——恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.,纳斯达克股票代码:NXPI)宣布推出顶部冷却式射频放大器模块系列,其中采用的创新封装技术有助于为5G基础设施打造更轻薄的无线产品。尺寸更小的基站可以提高安装的便利性和经济性,同时能够更分散地融入环境。恩智浦的GaN多芯片
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恩智浦 射频功率器件 顶部冷却封装 5G无线产品
- 为了满足市场对射频功率器件增强耐用性和在广泛的频率范围进行宽带运行的需求,飞思卡尔半导体公司(NYSE:FSL)推出了两款功能丰富的器件,旨在为采用LDMOS处理技术制造的射频功率产品提供新级别的线性和耐用性。
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飞思卡尔 射频功率器件
射频功率器件介绍
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