大功率发光二极管比日光灯具有更高的发光效率和使用寿命。人们应根据实际使用方式另外加装散热器。目前，国产3W发白光的LED零售价为15元，但由于3W大功率LED质量还不够可靠，暂不宜使用。5W大功率LED只有进口货，
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电路 分析 电源 驱动 大功率 LED 1W
为何电子式电能表需要使用铁电存储器(F-RAM), 自从1889年匈牙利工程师 Otto Blathy 发明全世界第一个电能表 (瓦特瓦时表)原型之后，电能表经过一个世纪多的演进：由机械式电表到今日的各种不同型式的电子电能表，包含新的预付费电能表 (pre-paid) 复费率电能
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存储器 F-RAM 使用 需要 电子 电能表 为何
基于负反馈原理稳定输出电流，设计一种宽范围连续或脉冲输出功率稳定可调的半导体激光器驱动电源。该电源使用晶体管作为开关，从而缩短脉冲宽度，增加带负载能力。选用现有大规模集成电路，设计力求简单、实用、低成本及高性能。实验结果表明，该驱动电源工作稳定，可以驱动波长范围在650～980nm的通用半导体激光器，输出功率在0～300mW范围内可调，连续或脉冲输出形式可通过输入端控制选取，可广泛用于对半导体激光驱动电源体积要求较小的应用中。
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驱动 电源 设计 LD 可调 脉冲 输出 功率 连续
本文介绍了一套采用位置检测器件(PSD)作为敏感元件,半导体激光二极管(LD)作为光源,基于反射式倾角测量...
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PSD LD 激光测距
半导体激光管(LD)和普通二极管采用不同工艺，但电压和电流特性基本相同。在工作点时，小电压变化会导致激光管电流变化较大。此外电流纹波过大也会使得激光器输出不稳定。二极管激光器对它的驱动电源有十分严格的要求
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设计 电源 LD 激光 半导体
电路的功能以往一提到F-F转换器，往往选用混合集成组件，而本电路使用了单片V-F转换器，这是一种廉价的100KHZ V-F转换器标准电路，它把0~10V的输入电压转换成0~100KHZ的脉冲串。用光耦合器或光纤传输，可以把模拟信号
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V-F 转换器 100KHZ 廉价 IC 构成 单片
采用LM3402HV的1W串联LED灯电路简介：
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LED 电路 串联 1W LM3402HV 采用
引言
高性能和环保是当前技术创新的两大要求。二者共同推动半导体元器件的发展，同时也为全球众多企业和消费者所耳熟能详。
若系统设计需要采用半导体存储器技术，工程师有(但不限于)以下选择：电池备份静态随机存储器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;铁电随机存取存储器(F-RAM);以及其它noVRAM技术。在从工厂自动化和电信到计量和医疗技术的每一种应用中，要确定最适合的存储器选择，是一项重要的设计考虑事项。
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Ramtron F-RAM BBSRAM
MORNSUN新出品的B0505LM-1W系列产品可以更好地应用在此方案中，这款隔离1000VDC的超小型、高可靠性的DC/DC转换器，其输入电压为5V，输出电压为5V，功率为1W，图1为该产品的一种典型应用电路。由于实现输入与输出之间
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电路 应用 B0505LM-1W
世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation日前宣布，现正向数个行业的客户提供首款MaxArias™无线存储器产品的beta测试样品。Ramtron的MaxArias™无线存储器产品将无线存取功能与其非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性特性相结合，能够在广泛的应用领域中，实现创新性数据采集功能。
Ramtron首个无线存储器系列称作MaxArias WM71
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Ramtron F-RAM MaxArias 无线存储器
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存储器FM25L16-GA，进一步扩大其符合AEC-Q100汽车标准要求的F-RAM存储器系列阵容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存储器，可在-40°C至+125°C的Grade 1汽车温度范围工作，是Ramtron不断增长的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100标准的汽车存储器产品的新成员。
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Ramtron F-RAM 存储器 FM25L16-GA
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation的两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品，分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM25V02。两款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号，工作电压范围为2.0V至3.6V，采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几
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Ramtron F-RAM FM24V02 FM25V02 200909
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存储器FM14C88，适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡 (HBA card) 等应用。
与nvSRAM相比，FM14C88的读写速度更快, 工作电压更低。FM14C88 的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC封装，具有高速访问、无延迟(NoDelay™)
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Ramtron F-RAM 储存器 FM14C88 RAID
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay™) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、
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Ramtron F-RAM FM28V020 非易失性铁电存储器
不管是大功率的还是小功率的LED照明应用，一般都由电源、LED驱动器、LED、透镜和基板几部分构成，其中关键的元件是LED驱动器，它必须提供一个恒流输出才能保证LED发出的光不会忽明忽暗、以及不会发生LED色偏现象，它
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解决方案 选择 要素 照明 通用 500W LED 1W
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