非易失性铁电存储器文章进入非易失性铁电存储器技术社区

Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件

　　世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay™) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、
关键字： Ramtron F-RAM FM28V020 非易失性铁电存储器

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非易失性铁电存储器介绍

铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。目录简介 FRAM技术铁电应用 1. 数据采集与记录 [ 查看详细 ]

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