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μC/OSII中软件定时器的优缺点与改进

  • mu;C/OSII具有小巧、性能稳定、开源等众多优点,并且mu;C/OSII大部分用ANSI C语言编写,系统的移植非常容易。在mu;C/OSII I2.81及以后的版本中[2],加入了对软件定时器的支持,使得mu;C/OSII操作系统更加完
  • 关键字: 改进  缺点  定时器  软件  C/OSII  

基于MOS开关的高频高压脉冲源中电磁兼容问题研究

  • 摘要:本文研究了基于MOS固态开关的高频高压脉冲源中的电磁兼容问题,通过分析其干扰信号频谱分布及传播路径,制定了以屏蔽和滤波为主的电磁兼容方案,最终实现了重复频率80kHz,4kV脉冲源,实验验证了电磁兼容措施的
  • 关键字: 电磁兼容  问题  研究  脉冲  高压  MOS  开关  高频  基于  

MOS-FET与电子管OTL功放的制作

MOS—FET末级无负反馈蓄电池供电甲类6瓦功率放大器

MOS—FET甲乙类功率放大器

MOS管驱动电路综述连载(三)

  • 相对通用的电路电路图如下:图1用于NMOS的驱动电路图2用于PMOS的驱动电路这里只针对NMOS...
  • 关键字: MOS  驱动电路  

MOS管驱动电路综述连载(二)

  • 现在的MOS驱动,有几个特别的应用1、低压应用当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于...
  • 关键字: MOS  

MOS管驱动电路综述连载(一)

  • 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很...
  • 关键字: MOS  

MOSFET分析:选择一款节能、高效的MOSFET

  • 前不久,能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求,同时进一步降低待机功耗要求。...
  • 关键字: mos  

MOSEFT分析:理解功率MOSFET的开关损耗

  • 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知...
  • 关键字: mos/开关损耗  

在LabVIEW中实现基于C/S结构的远程数据采集

  •   方式一:在LabVIEW环境中利用Connect to Remote Panels工具可以直接操作Remote Panels 。
      方式二:利用网页浏览器在网页中直接操作Remote Panels。若在客户端的网页浏览器的地址栏中输入服务器的网址,即
  • 关键字: 远程  数据采集  结构  C/S  实现  基于  LabVIEW  

开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小) 在讨论前我们先做
  • 关键字: 吸收  回路  RCD  管反峰  设计  MOS  开关电源  

μC/OS的任务调度实现方法及PowerPC上的优化

  • μC/OS的任务调度实现方法及PowerPC上的优化,  mu;C/OS是Jean J.Labrosse开发的实时多任务内核,最初是为Motorola 8位处理器68HC11写的。在后来的相关著作中,作者将代码移植到了PC上,以便于更多的读者学习。mu;C/OSII继承了mu;C/OS的算法,有执行效率高、
  • 关键字: PowerPC  优化  方法  实现  任务  调度  C/OS  

SPARC高性能处理器集成开发环境及其编译器设计与实现

  • 针对SPARC高性能处理器,开展嵌入式系统专用软件开发环境及其编译器的研究。在集成开发环境(SPE-C)中集成工程管理、编辑、编译、调试等基本功能,并针对处理器特点优化其编译环境,添加CORDIC指令支持,从而完成高性能处理器软件开发环境的设计和集成工作。
  • 关键字: SPRAC  编译器  SoC  SPE-C  cordic  集成开发环境  

基于CPLD与μC/OS -Ⅱ的断路器智能控制单元设计

  • 基于CPLD与μC/OS -Ⅱ的断路器智能控制单元设计,  本文介绍的智能控制单元采用数字信号处理器(DSP)及嵌入式实时操作系统完成各种数据的处理、通信和算法的设计,而状态量的采集和执行信号输出将由复杂可编程逻辑器(CPLD)完成,主要是基于CPLD内部硬件电路结构的可
  • 关键字: 单元  设计  智能控制  断路器  CPLD  C/OS  基于  
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