全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工业设备功率模块
Diodes 公司 (Diodes)近日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠
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Diodes 碳化硅 肖特基势垒二极管 SBD
本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
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SiC 碳化硅 SBD
反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
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SiC 碳化硅 SBD
航空航天系统依赖于引擎控制单元、环境控制、仪器和执行器中的数字和逻辑功能与电路才能完成关键的工作。数据中心、5G基础设施和通信系统同样依赖于复杂的电路，而这些电路需要得到妥善保护。即便有闪电、太阳活动和电磁事故引起的电压浪涌和尖峰，系统仍必须保持连续运行。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬态电压抑制器（TVS）垂直阵列产品组合 — MDA3KP瞬态电压抑制器（TVS）。 该3kW二极管系列拥有超过25款产品，具有不同的筛选级别、极性和认证标
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TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
具有TI无线SoC处理器以及时钟和接口解决方案的电信基带单元的系统方框图(SBD)。当今用于蜂窝式电信网络的无线基站必须具备强大的信号处理功能，以便能够处理网络中不断增加的大量语音和数据流量，并支持正广泛...
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电信基带 系统方框 SBD
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。 SBD适合各种应用，包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外，它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件，能够将效率提升50%(东芝调查)。 SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行，即便是在高电压
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东芝 SBD SiC
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。 SBD适合各种应用，包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外，它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件，能够将效率提升50%(东芝调查)。 SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行，即便是在高电压
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东芝 SBD SiC
ROHM于2011年开发了03015(0.3 mm×0.15 mm)尺寸的世界最小贴片电阻器，相比以往的0402产品尺寸成功减小了44%。2012年开发了世界最小半导体—0402尺寸的齐纳二极管。2013年，产品阵容中增加了0402尺寸的肖特基势垒二极管(SBD)，同时实现了03015尺寸的贴片电阻器量产。
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ROHM 小型化 SBD 贴片电阻
新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗铜线有利于降低损耗提高效率，SiC-SBD专长于高速开关动作，再加上注重最佳音质的制造工艺技术，能够实现高音质音响效果。
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新日本无线 SiC-SBD MUSES
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