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SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

  • 本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
  • 关键字: SiC  碳化硅  SBD  

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

  • 反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数,所以不仅要比较trr的数值,还要理解其波形和温度特性,这样有助于有效使用二极管。
  • 关键字: SiC  碳化硅  SBD  

SiC肖特基势垒二极管的特征,及与Si二极管的比较

  • 继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
  • 关键字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二极管  

Microchip推出3kW瞬态电压抑制二极管阵列产品,实现严苛环境下出色的电路保护

  • 航空航天系统依赖于引擎控制单元、环境控制、仪器和执行器中的数字和逻辑功能与电路才能完成关键的工作。数据中心、5G基础设施和通信系统同样依赖于复杂的电路,而这些电路需要得到妥善保护。即便有闪电、太阳活动和电磁事故引起的电压浪涌和尖峰,系统仍必须保持连续运行。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出其最新瞬态电压抑制器(TVS)垂直阵列产品组合 — MDA3KP瞬态电压抑制器(TVS)。 该3kW二极管系列拥有超过25款产品,具有不同的筛选级别、极性和认证标
  • 关键字: TVS  SBD  ESD  EFT  MSL  RTCA  

电信基带单元的系统方框图 (SBD)

  • 具有TI无线SoC处理器以及时钟和接口解决方案的电信基带单元的系统方框图(SBD)。当今用于蜂窝式电信网络的无线基站必须具备强大的信号处理功能,以便能够处理网络中不断增加的大量语音和数据流量,并支持正广泛...
  • 关键字: 电信基带  系统方框  SBD  

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

  •   东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。  SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调查)。  SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行,即便是在高电压
  • 关键字: 东芝  SBD  SiC  

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

  •   东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。  SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调查)。  SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行,即便是在高电压
  • 关键字: 东芝  SBD  SiC  

ROHM超小型元器件RASMID™

  • ROHM于2011年开发了03015(0.3 mm×0.15 mm)尺寸的世界最小贴片电阻器,相比以往的0402产品尺寸成功减小了44%。2012年开发了世界最小半导体—0402尺寸的齐纳二极管。2013年,产品阵容中增加了0402尺寸的肖特基势垒二极管(SBD),同时实现了03015尺寸的贴片电阻器量产。
  • 关键字: ROHM  小型化  SBD  贴片电阻  

新日本无线新推出粗铜线丝焊类型的音频SiC-SBD

  • 新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode),粗铜线有利于降低损耗提高效率,SiC-SBD专长于高速开关动作,再加上注重最佳音质的制造工艺技术,能够实现高音质音响效果。
  • 关键字: 新日本无线  SiC-SBD  MUSES  
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