- 作为 Rambus 行业领先的接口和安全数字 IP 产品组合的最新成员，GDDR7 内存控制器将为下一波AI推理浪潮中的服务器和客户端提供所需的突破性内存吞吐量。面向AI 2.0的内存解决方案AI 2.0代表着生成式AI革命性世界的到来。AI 2.0借助大语言模型（LLM）及其衍生模型的巨大增长创建新的多模态内容。多模态意味着可以将文本、图像、语音、音乐、视频等混合输入到模型中，从而创建出这些以及其他媒体格式的输出，例如根据图像创建3D模型或根据文本提示创
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Rambus GDDR7 内存控制器IP AI 2.0
- 作为业界领先的芯片和IP核供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus
Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布Rambus HBM3内存控制器IP现在可提供高达9.6
Gbps的性能，可支持HBM3标准的持续演进。相比HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的数据速率，Rambus
HBM3内存控制器的数据速率提高了50%，总内存吞吐量超过1.2 TB/s，适用于推荐系统的训练、生成式AI以及其他要求苛刻的数据中心工作负载。Rambus HBM3控制器模块图Rambus
IP核部
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Rambus 内存控制器
- 几年前当AI刚开始流行之时，很多人预测AI应用最大的瓶颈将是存储器的读取和写入速度，这会严重影响训练和推断的效率，以及做出相应反馈的速度。特别是2023年以来，以ChatGPT为代表的生成式AI让人们看到了智能世界的无限可能，而如何有效地采集、存储、传输、处理数据和模型则成为实现高质量AI的关键，这就需要高速传输技术的革新。 无论是云端AI训练还是向网络边缘转移的AI推理，都需要高带宽、低时延的内存。鉴于GPU已经成为目前人工智能训练和推理中的核心处理单元，迈向高性能GDDR6内存接口已是大势所趋。近日，
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Rambus 高速GDDR6 PHY AI
- 当地时间4月4日，Rambus宣布，与SK海力士的全面专利许可协议延长10年。据悉，该延长的协议将于2024年7月1日生效，保持类似的财务条款，在2034年中期之前SK海力士可以广泛使用完整的Rambus专利组合。资料显示，Rambus是一家知名的芯片IP和芯片提供商，成立于1990年。Rambus创建之初便致力于高端存储产品的研究与开发，拥有数千项专利。2013年，SK海力士和Rambus签订了一个为期5年的专利授权协议，SK海力士向Rambus支付2.4亿美元的专利授权费，按照每季度1200万美元的方
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SK海力士 Rambus 专利许可
- 近日，Rambus宣布推出全球首个PCIe 6.0接口子系统，主要面向高性能数据中心、AI SoC等领域。Rambus的方案包括完整的PHY物理层、控制器IP，完整符合PCIe 6.0规范，针对异构计算架构全面优化，同时也支持最新的CXL 3.0规范，可优化内存资源。Rambus大中华区总经理苏雷介绍，Rambus作为一家业界领先的Silicon IP和芯片提供商，致力于让数据传输更快、更安全。Rambus目前的主要业务包括专利授权、IP授权，以及芯片产品。经过30多年的发展，Rambus有3000多项技
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PCIe 6.0 接口子系统 Rambus SoC
- 作为业界领先的芯片和半导体IP供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布，推出由PHY和控制器IP组成的PCI Express®（PCIe®）6.0接口子系统。Rambus PCIe Express 6.0 PHY还支持最新版本（3.0版本）的Compute Express Link™（CXL™）规范。 PCIe 6.0接口子系统（图片来源：Rambus Inc.） Rambus接口IP总经理Scott Houghton表示：“人工
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Rambus 数据中心 人工智能 SoC PCIe 6.0 接口子系统
- 在各类存储系统中，位于CPU内部的SRAM系统性能最强，读写速度最快。在外置存储中，最快自然是DRAM产品，目前带宽最高的HBM2e内存的引脚速率达到3.2Gbps。美国内存IP厂商Rambus在8月底宣布推出HBM3内存接口子系统，引脚速率提升至8.4Gbps，可为人工智能/机器学习 (AI/ML) 和高性能计算(HPC) 等应用提供TB级带宽，是当前速率最快的HBM产品。 Rambus预计，HBM3内存会在2022年末或2023年初流片，实际应用于数据中心 、AI、HPC等领域。国内的一流AI芯片
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Rambus HBM3内存
- 致力于让数据传输更快、更安全的业界领先Silicon IP和芯片提供商Rambus Inc.（纳斯达克：RMBS）今日宣布将于2020年12月9日举办2020年中国设计峰会，并公布了会议议程与发言人阵容。
Rambus Design Summit 12月9日这场线上大会将汇集来自Rambus的多位技术专家，共同介绍如何选择和实现数据中心、5G/edge和物联网的IP解决方案，以及如何提高AI/ML应用程序的性能。同时，议题还包括关键的启用接口和安全IP解决方案。我们将为大家提供实现下一代So
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Rambus
- GDDR6显存已经逐渐普及，比如NVIDIA Turing家族已经全线配备，AMD Navi也开始引入，目前已商用的最高速度为14GHz，马上就会出现16GHz，而现在Rambus首次展示了18GHz高频率的GDDR6。说起Rambus，大多数人都没什么好印象，这个“专利流氓”凭借在内存、显存技术方面的一些积累，曾经搅得整个行业鸡犬不宁，但不得不说，Rambus在技术上还是很有两把刷子的。凭借18GHz的超高速度，Rambus GDDR6只需一颗32-bit位宽的芯片，就能获得72GB/s的带宽，如果搭配
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Rambus 显存 频率 GDDR6
- 据国外媒体报道，消息人士透露，专利诉讼长期缠身的芯片设计商Rambus正考虑对外出售，即使该公司的业务已经扩展至包括自己品牌芯片的销售。
消息人士表示，总部位于美国加州桑尼维尔的该公司正在同一家金融顾问合作，以评估销售选择并且寻求潜在的对收购感兴趣者。消息人士不愿意透露自己身份，因为相关讨论还处在私密状态。消息人士还称，截至目前为止就出售事宜并没有作出最终决定，该公司也可能会选择不对外出售。
对以上消息，Rambus代表拒绝置评。
当地时间周五在纽约证券交
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Rambus 芯片
- 在完成对闪迪公司的全面收购之后，HDD大户西数摇身一变成为全球领先的NAND业务巨头，实现了产业转型的一个小目标。不过进军存储市场之后，西数还有个小BOSS需要通关——那就是Rambus，别看他们是一家小公司，但Rambus在存储技术上的专利使得他们收服了三星、美光、东芝、NVIDIA、AMD、Intel等多家半导体巨头，现在西数也不例外，双方达成了5年期的专利授权协议。
根据Rambus公司的通告，他们与西数公司就技术授权达成了合作协议，后者可以使用
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西数 Rambus
- Rambus公司宣布已签署一份最终协议，以9000万美元现金收购Inphi公司的记忆体互联业务。此次收购包括Inphi记忆体互联业务的所有资产， 包括：产品库存、客户合约、供应链协议和智慧财产权。并购后的业务将进一步加强Rambus记忆体缓冲器晶片产品的市场地位，并增强未来记忆体计画的实 现，以满足伺服器、网路和资料中心市场的需求。
Rambus 总裁兼执行长Ron Black博士表示：“我们不断评估加强坚实基础和发展公司业务的方式，以便充分满足当今市场的需求。将公司的缓冲器晶片团队
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Rambus Inphi
- 现在提起RDRAM内存，估计很多人已经不记得了。作为RDRAM内存技术的发起者，Rambus在该标准失利之后靠打授权官司继续活着，先后拿下了三星、美光、Hynix、博通、NVIDIA及高通等公司，获得了不菲的授权费。
不过近日，Rambus宣布了自己的首款产品“RB26”，DDR4 DIMM内存芯片，隶属于其R+系列产品线，包括服务器级的RDIMM、LRDIMM，以及相应的数据缓冲芯片、寄存器时钟驱动(RCD)芯片，以图实现转型。
放弃了IP授权经营模式，转型为一家
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Rambus RB26
- Rambus Inc.今日宣布推出用于RDIMM与LRDIMM[i]的R+ DDR4服务器内存芯片组RB26，该芯片组拥有优异的性能与高容量，能够充分满足企业与数据中心服务器市场的相关需求。作为R+芯片系列的首款产品，RB26是一种符合JEDEC规范的增强型内存模块芯片组，旨在以更快的速度、更高的可靠性与功率效率加速数据密集型应用，包括：实时分析、虚拟化与内存内计算。
Rambus总裁兼首席执行官Ron Black博士表示：“Rambus拥有悠久的创新历史与高速内存接口设计专长，因此
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Rambus RDIMM
- 熟悉PC尤其是内存历史的应当都记得外号“专利流氓”的Rambus。它发明了很高明的RDRAM等技术，但没有拿来造福百姓，而是凭借专利四处“勒索”，臭名远扬，自己的技术也没几个人用，RDRAM唯一的成功就是索尼PS3，当然还坑了Intel一把。
现在，Ramubus又回来了，但放弃了IP授权经营模式，转型为一家无工厂半导体厂商，设计、销售自己的产品。
趁着Intel IDF 2015举行之际，Rambus宣布了自己的首款产品“RB2
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Rambus DDR4
rambus介绍
RAMBUS内存是一种高性能、芯片对芯片接口技术的存储产品，它使得的处理器可以发挥出最佳的功能，已于2003年左右彻底退出市场。目前，RAMBUS 内存可提供600、800和1066MHz三种速度，目前主要有64M，128M，256M，512M四种规格。RAMBUS Inc宣称这种新的技术能够提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能，单根的RAMBUS DRAM，即 [
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