首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> fdsoi

fdsoi 文章

格芯技术大会携最新技术突出中国市场重要地位

  • 近日,格芯2017技术大会(GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC)于上海举行,格芯盛邀数百位半导体行业领导者、客户、研究专家与核心媒体齐聚一堂,并精心为与会者准备了公司的核心业务、市场推进方向与创新成果,以及包括制程工艺、设计实现、IP、射频以及生态圈的发展等方面的最新进展,共同聚焦格芯面向5G互联时代的技术解决方案。作为格芯的年度技术盛会,本次大会格芯分享的技术主题十分广泛,包括FDX®设计和生态系统、IoT,5G/网络和汽车解决方案智能应用,FDX®、Fi
  • 关键字: GTC  FDSOI  FINFET  制程  

局部应变技术可望提高FDSOI性能

  •   法国研究机构CEA-Leti宣布开发出可为全耗尽型绝缘体上覆矽(FDSOI)矽通道制程诱导局部应变的2种新技术,可望用于实现更快速、低功耗与高性能的下一代FDSOI电路。  意法半导体(STMicroelectronics;ST)和Globalfoundries倡议为先进晶片中采用FDSOI,并视其为能够达到世界级能效的方法,而且不必面对像FinFET制程的复杂性与高成本。  晶格上的应变通常用于增加传统平面CMOS与FinFET CMOS的行动性。如今,Leti则提议将它用在下一代的FDSOI电路上
  • 关键字: FDSOI  

法机构将于明年9月启动基于20nm FDSOI的300mm多项目晶片研究计划

  •   法国两家半导体研究机构CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布,他们将在一项定于明年9月份启动的300mm多项目晶片研究计划中采用基于20nm制程的全耗尽型SOI工艺制作这种芯片。这次 多项目晶片研究计划是由欧洲一个专门研究SOI技术的学术团体EuroSOI+负责参与支持的。   所谓的多项目芯片(multi-project wafer:MPW),指的是在同一片晶圆上采用相同的制程制出不同电路设计的IC芯片,这样可以为多家厂商或研究机构的IC设计验证节约成本,非常适用于
  • 关键字: FDSOI  20nm  
共3条 1/1 1

fdsoi介绍

  FDSOI技术即全耗尽型SOI技术,有些文献上也写成ETSOI即超薄型SOI,具有非常强的竞争力,适合20nm及更高级别制程的移动/消费电子产品使用。  FD-SOI是下一代晶体管结构的热门技术之一。目前制造晶体管的主流技术是采用体硅技术制作的32/28nm制程平面型晶体管。  AMD,IBM以及其它部分厂商目前则在使用基于部分耗尽型SOI技术的平面型晶体管制造自己的处理器产品。相比之下,In [ 查看详细 ]

热门主题

FPGA    DSP    MCU    示波器    步进电机    Zigbee    LabVIEW    Arduino    RFID    NFC    STM32    Protel    GPS    MSP430    Multisim    滤波器    CAN总线    开关电源    单片机    PCB    USB    ARM    CPLD    连接器    MEMS    CMOS    MIPS    EMC    EDA    ROM    陀螺仪    VHDL    比较器    Verilog    稳压电源    RAM    AVR    传感器    可控硅    IGBT    嵌入式开发    逆变器    Quartus    RS-232    Cyclone    电位器    电机控制    蓝牙    PLC    PWM    汽车电子    转换器    电源管理    信号放大器    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473