本文来源于一个实际项目，需要由一个PMOS作为开关来控制电源的导通。但对实际参数进行测量时，发现PMOS导通时间太短，使得后级电路的dV/dt太大，造成一些不好的影响，因此本文对如何延缓PMOS启动速度进行简单学习与概述性介绍。1 米勒平台上图所示为PMOS的等效模型，其栅极、源极与漏极相互之间都存在寄生电容，分别为CGD，CGS，CDS。MOS管的开启时序如下图所示：开启过程如下：（1）T0-T1阶段，G端输出电平，CGS开始从0充电直至VGS(th)，漏极源极之间的电压UDS与电路IDS保持不变，MO
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PMOS电路 开关电路 MOS 电源
引言全球高速无刷电机行业正在经历持续的增长和发展。根据市场调研，亚洲市场占据了全球高速无刷电机行业的首位，市场规模占比达47%，并且预计未来增长将主要集中在亚洲地区。特别是在我国，无刷电机技术已逐渐成熟，电机和驱动器的价格均已下探到可以广泛应用的程度，也就拓展了无刷电机的使用场景。而控制芯片作为无刷电机系统中的关键组件，通过接收转子位置的反馈信号，精确控制电机的电流和电压，实现电机的高效运转和精确控制。目前直流无刷电机的控制主要分两大类：方波控制（梯形波控制）与正弦波控制，这两类控制方式的原理分别是什么呢
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MOS 三相直流无刷电机 BLDC 驱动芯片
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。图 SiC/Si器件效率对比一、行业典型应用碳化硅MOSFET的主要应用领域包括：充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机、新能源汽车空调、新能
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SiC MOS 碳化硅 MOSFET
MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。其结构示意图：解释1：沟道上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2：n型上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可，因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。解释3：增强型相对于耗尽型
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模拟电路 MOS
来自专栏芯片基础课说来惭愧，大二学了一遍模电数电，考研专业课又学了一遍模电数电，但拿到如下这张mos管结构图，让我立马说出：【这是什么型mos管，标准符号衬底的箭头指向哪里，简化符号栅极有没有小圆圈，衬底该接高接低，栅极高电平导通还是低电平导通，导通电流方向是什么】的答案，时不时还真有点卡壳。这真的不能怪我们，是真的太绕了，比如PMOS管栅极居然是低电平有效，简化图上输入带圈，这真的太反人性了。今天就用一篇文章把这些关系彻底理顺，开始吧！首先，你应该已经懂得：硅中参杂电子多的话，会在那里写个N，参杂空穴多
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模拟电路 MOS
MOS 管在逆变电路，开光电源电路中经常是成对出现，习惯上称之为上管和下管，如图Figure 1中的同步Buck 变换器，High-side MOSFET 为上管， Low-side MOSFET为下管．如果上管和下管同时导通，就会导致电源短路，ＭOS 管会损坏，甚至时电源损坏，这种损坏是灾难行动，必须避免．由于MOS 的开通和关断都是有时沿的，为了避免上管和下管同时导通，造成短路现象，从而引入了死区的概念，也就是上下管同时关断的区间，如图Figure2 中的E 和 F.死区E---tDf: 上
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MOS 管 逆变电路
一、变频器的定义及应用领域 变频器的定义变频器是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流（交流变直流）、滤波、逆变（直流变交流）、制动单元、驱动单元、检测单元、微处理单元等组成。变频器的应用领域钢铁、轧钢制线、电力、石油、造纸业等。变频器的作用1、调整电机的功率，实现电机的变速运行，达到省电的目的。2、降低电力线路中电压的波动，避免一旦电压发生异常而导致设备的跳闸或者出现异常运行的现象。3、减少对电网的冲击，从而有效地减少无功损耗，增
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RS瑞森半导体 MOS 变频器
单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS，市电直接供电给用电设备再为电池充电，一旦市电供电品质不稳或停电时，市电的回路会自动切断，电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务，直到市电恢复正常。UPS只有在市电停电了才会介入供电，不过从直流电转换的交流电是方波，只限于供电给电容型负载，如电脑和监视器等。一、前言 单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS，市电直接供电给用电设备再为电池充电，一旦市电供电品质不稳或停电时，市电的回路会自动切断，电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务，直到市电恢复正
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MOS
功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET，称为耗尽型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零
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MOSFET MOS
在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。那么栅极电荷和导通阻抗很重要，这都是对电源的效率有直接的影响，主要是传导损耗和开关损耗。还有在电源中第二重要的是MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管在ORing F
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MOS
学习模拟电子技术基础，和电子技术相关领域的朋友，在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管（MOS管）了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢？在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢？学习模拟电子技术基础，和电子技术相关领域的朋友，在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管（MOS管）了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢？在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢？首先我们明确一下二者的概念三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控
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功率放大器 MOS
MOS 晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。MOS 晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。在我们尝试了解各种漏电流成
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MOS 晶体管
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引
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MOS
用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。1、PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状
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MOS 二极管
安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来，硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓（GaAs）和砷化镓、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体，它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
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