- 三星昨日宣布量产面向下一代智能手机和平板机等便携设备的3xnm 2GB LPDDR3内存芯片，美光今天也宣布了另外一种DDR3内存的登场：30nm工艺制造的DDR3L-RS DRAM已经开始批量供应，主要针对超极本、平板机等超轻薄计算设备。
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美光 30nm
- 韩国三星公司近日宣布将开始量产基于30nm制程4Gb密度DDR3内存芯片的32GB内存条，这款内存条产品将主要面向云计算以及高档服务器应用。相比之前的40nm制程4Gb DDR3产品,三星30nm制程4Gb DDR3内存芯片的产出量可提升大约50%。
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三星 30nm
- 日本尔必达存储器(Elpida Memory)宣布，将从2011年5月开始全面量产采用30nm工艺的DRAM。生产基地是该公司的广岛工厂和台湾瑞晶电子(Rexchip Electronics)的工厂。广岛工厂已经开始生产30nmDRAM，2011年4～6月将把比例扩大至20%、2011年7～9月扩大至30%。而瑞晶工厂则计划在2011年7～9月导入30nmDRAM技术，2011年7～9月将比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。
尔必达从2010年9月开始开发30nmDRAM
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尔必达 30nm DRAM
- 最近，内存颗粒的工艺进步速度非常快，最先进的30nm工艺甚至已经超过了处理器。在功耗与散热方面也有了长足的进步。
今天我们得到最新消息，继三星之后，尔必达也成功开发出采用30nm工艺的2Gb容量DDR3 SDRAM内存颗粒，并且核心面积和功耗都创下业界新纪录。
据了解，尔必达这种颗粒最高支持DDR3-1866频率，可以在1.35V低电压下实现1600MHz频率。同时，其工作电流相比同厂40nm产品工作电流降低15%，待机电流下降10%。
尔必达声称该内存颗粒是目前世界上体积最小的产品
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尔必达 DDR3 30nm
- 三星今天公布了型号为470的SSD产品系列，它们分为64/128/256GB三个版本售价分别为199、399和699美元。这种SSD采用30nm MLC闪存打造，内置双控制器，支持TRIM，采用3Gbps的SATA接口连接，写入和读取速度分别为250和220MB/s，随机读取写入性能为21000IOps和21000IOps，不过64GB版本的性能要稍低，写入速度仅有170MB/s，随机写入性能为11000IOps。
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三星 30nm TRIM
- 三星和东芝公司已经宣布了一个合作计划，旨在制定新规范推动NAND快闪记忆体的传输速率，具体来说，两家公司致力于发展DDR 2.0 NAND型快闪记忆体和400MB/s的接口技术，这比目前版本的NAND闪存接口技术快了十倍，这项技术将于英特尔、镁光和SanDisk共同开发的ONFI接口进行直接竞争，主要面向高性能产品例如SSD以及智能手机和消费电子产品。
三星和东芝公司目前供应NAND快闪记忆体市场70%的货源，因此它们在行业内具有相当大的话语权，这对他们的新规范计划将非常有利。
三星上个月
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三星 NAND 30nm
- 三星电子今天宣布，已经开始在全球范围内首家采用30nm级工艺(30-39nm)批量生产2Gb DDR3内存颗粒。三星称，这种新工艺DDR3内存颗粒在云计算和虚拟化等服务器应用中电压1.35V，频率最高可达1866MHz，而在PC应用中电压为1.5V，皮哦年率最高2133MHz，号称比DDR2内存快3.5倍，相比于50nm级工艺的DDR3也要快1.55倍。
该颗粒属于三星的绿色内存系列，在服务器应用中能比50nm级工艺产品节约最多20%的功耗，在多核心PC系统中30nm级工艺4GB DDR3内存条
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三星电子 内存 30nm
- 今年早些时候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3内存芯片的开发工作，而最近他们则宣布这款芯片产品已经进入批量生产阶段。这款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V电压条件下工作在1866MHz数据传输率下，加压到1.5V之后数据传输率则可提升至2133MHz，适用于 台式机，笔记本，服务器，上网本，移动设备的各种应用。
三星表示目前他们正在开发4Gb密度的30nm制程DDR3内存芯片产品，预计这款产品今年才会投入使用。
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三星 30nm DDR3
- 三星电子宣布，全球第一颗采用30nm级别工艺的DDR3 DRAM内存芯片已经通过客户认证。注意这里说的是30nm级别工艺(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是说有可能是38nm 之类的。三星此前投产的3-bit MLC NAND、异步DDR 32Gb MLC NAND闪存芯片同样也是这种30nm级别的。
三星这种30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb，支持1.5V标 准电压和1.35V低电压，相比50nm工艺级可节省最多30%的功耗，因此又称为绿色内存(Gree
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三星电子 DRAM 30nm DDR3
- 三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽 是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪存芯片则只能达到40Mbps的水平。
即便将这种芯片应用到闪存卡中，也能够保持60Mbps的持续读取速率，同样比传统闪存芯片的17Mbps快三倍左右。这种闪存芯片产品既适合智能手机，便携多媒体播放器等产品，也同样适用于SSD硬盘等设备。
另外一款
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三星 30nm NAND
- 三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪存芯片则只能达到40Mbps的水平。
即便将这种芯片应用到闪存卡中，也能够保持60Mbps的持续读取速率，同样比传统闪存芯片的17Mbps快三倍左右。这种闪存芯片产品既适合智能手机，便携多媒体播放器等产品，也同样适用于SSD硬盘等设备。
另外一款三
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三星 30nm NAND
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