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22纳米 文章 进入22纳米技术社区

联电与Cadence携手22纳米模拟与混合信号设计认证

  • 联华电子与Cadence于今(8月24)日共同宣布,Cadence的模拟与混合信号(Analog/Mixed Signal, AMS)芯片设计流程获得联华电子22纳米超低功耗 (22ULP)与22纳米超低漏电(22ULL)制程认证,此流程可优化制程效率、缩短设计时间,加速5G、物联网和显示等应用设计开发,满足日渐增高的市场需求。 联电的22纳米制程具有超低功耗和超低漏电的技术优势,可满足在科技创新发展下,使用时间长、体积小、运算强的应用需求。经联电认证的Cadence AMS设计流程,提供了整合
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武汉新芯宣布与中科院微电子所签订22纳米IP授权协定

  •   武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC),一家国内领先的12寸晶圆制造公司今日宣布,已经与中国科学院微电子研究所、清华大学、复旦大学、上海微系统所签署了一项IP联合授权协议。根据该协议,武汉新芯将获得这四家研发机构广泛而全面的多项专利授权。   此次中科院微电子所等4家研发机构将长期积累的包涵20纳米以下集成电路创新技术的近1500件知识产权组成联合专利池整体使用许可授予武汉新芯公司,极大地扩展了武汉新芯的知识产权覆盖面,提升了武汉新芯未来的企业竞争力。武汉新芯执行长杨士宁博士表示:“中国
  • 关键字: 武汉新芯  22纳米  

武汉新芯宣布与中科院微电子所签订22纳米IP授权协定

  •   中国武汉—武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC),一家国内领先的12寸晶圆制造公司今日宣布,已经与中国科学院微电子研究所、清华大学、复旦大学、上海微系统所签署了一项IP联合授权协议。根据该协议,武汉新芯将获得这四家研发机构广泛而全面的多项专利授权。   此次中科院微电子所等4家研发机构将长期积累的包涵20纳米以下集成电路创新技术的近1500件知识产权组成联合专利池整体使用许可授予武汉新芯公司,极大地扩展了武汉新芯的知识产权覆盖面,提升了武汉新芯未来的企业竞争力。武汉新芯执行长杨士宁博士表
  • 关键字: 新芯  22纳米  

四年艰苦攻关 中国22纳米半导体工艺获重大突破

  •   说起先进的半导体工艺,Intel、IBM、台积电、三星电子这些耳熟能详的名字肯定会立刻出现在大家的脑海中,而因为各方面的限制,国内在这方面的差距还非常非常大,只有中芯国际能拿得出手,但也总比国外落后几个时代。   不过据《中国科学报》最新消息,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心(以下简称先导工艺研发中心)通过4年的艰苦攻关,在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上,实现了重要突破,在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs,器件性能良好。
  • 关键字: 22纳米  半导体  

中国22纳米技术获重大突破 全球仅英特尔有量产

  •   我国在22纳米技术这一高端研发上有所建树——4年前,这会被看做是天方夜谭。然而,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心团队实现重大突破,让这一梦想成真。到目前为止,全球也只有英特尔公司在22纳米技术代实现了大规模生产。     中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心(以下简称先导工艺研发中心)通过4年的艰苦攻关,在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上,实现了重要突破,在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFE
  • 关键字: 英特尔  22纳米  

英特尔加速扩展22纳米数据中心处理器系列产品

  •   − 在今年底之前,加速扩展基于英特尔创新的22纳米制程技术的数据中心处理器产品线。   − 旨在通过英特尔机架式架构而彻底改变服务器机架设计,以提高服务器的灵活性、密度和利用率,从而降低总体拥有成本。   − 适用于微型服务器、研发代号为“Avoton”的下一代64位英特尔®凌动™处理器正在向客户提供样品,预计在今年下半年全面发售。   − 第四代英特尔酷睿处理器现已向客户出货,并将在二季度末发布。  
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英特尔推低耗数据中心芯片 Facebook高管捧场

  •   北京时间12月12日消息,据国外媒体报道,英特尔当地时间周二推出了主要采用低能耗技术的数据中心芯片,英特尔此举旨在加强自己在新兴的微处理器市场的竞争力。目前,英特尔的这款产品已经得到社交媒体Facebook部分高管的认可。   英特尔日前宣布,采用最新一代22纳米制造工艺生产的芯片将于2013年量产,与高通等企业争夺快速发展的移动设备市场。同英特尔此前设计的服务器芯片相比,本周二推出的这款凌动芯片相比此前的英特尔服务器芯片耗电量更少。不过,诸多英特尔的竞争对手也已经将自己的目光投向了低能耗服务器市场
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英特尔:22纳米移动系统芯片明年将量产

  •   12月11日消息,据国外媒体报道,英特尔本周一在旧金山举行的一个行业会议上展示了新的芯片生产技术。这些新技术将使英特尔按计划推出用于智能手机和平板电脑的新一代芯片。目前,英特尔正在迅速增长的移动市场追赶高通等竞争对手。   英特尔在PC行业占统治地位。但是,在依赖电池和需要电源效率的移动设备方面,英特尔处理器的应用一直很迟缓。   英特尔展示了制造22纳米系统芯片的加工技术。英特尔在一份展示文件中称,英特尔22纳米系统芯片技术将在2013年投入大批量生产。   英特尔目前的移动系统芯片是采用32
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微软欲提速发布平板电脑死磕苹果

  •   两家IT巨头的战争才真正开始。近日,海外消息人士发帖称,微软计划在2013年发布三款全新的Surface平板电脑,以不同尺寸和配置全面对抗苹果各款iPad产品。   据悉,新款平板电脑Surface RT 2将配置8.6英寸屏幕,使用高通芯片而非Nvidia公司的Tegra 3。另一款名为Microsoft Pro的平板电脑将配置11.6英寸屏幕,搭载AMD公司的Temash APU。还有一款Surface Book产品将配置14.6英寸显示屏,并采用22纳米制程的英特尔Haswell芯片。   
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分析师称三星目前仍是苹果重要芯片供应商

  •   据外电消息报道,RBC Capital(加拿大皇家银行资本)的分析师艾米特达亚纳尼(Amit Daryanani)周五发布了一份研究报告,分析了最有可能成为苹果产品处理器供应商的几家厂商。他认为,三星目前仍然是苹果产品的独家处理器供应商。   但是业内人士相信,蒂姆库克(Tim Cook)不想永远依赖于一家公司,更何况这家公司还被他指控为窃取了苹果的知识产权并且正在不断与苹果抢夺智能手机市场份额。艾米特达亚纳尼就此进行分析。   达亚纳尼称,更换供应商并不是一件容易的事。苹果为最新版iPhone和
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SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备

  •   不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示,采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比,性能的提高达到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在内的几家主要SOI晶圆供应商表示,他们已经为超薄衬底的SOI晶圆的规模化生产做好了准备。这些绝缘层上硅的厚度只有不到10纳米,而且均匀性控制在艾米量级SOI晶圆对生产合格的全耗尽型晶体管是至关重要的。
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英特尔拿什么迎战ARM

  •   除却软件操作系统MeeGo,英特尔正试图通过22纳米制程芯片进军移动市场,但迟迟不见可以量产的产品,这一点似乎让英特尔进军移动市场的技术和雄心都搁浅在了假设阶段。   
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2012年光刻掩膜板市场预计可达32亿美元

  •   SEMI研究报告最新研究报告显示,2010年全球半导体光刻掩膜板市场达到了30亿元规模,预估2012年这一数字可达32亿美元。由于有2008和2009连续两年的签约保障下,半导体光刻掩膜板市场在2010年增长了10%,而未来两年光刻掩膜板市场则预计将有7%和2%的成长。   
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22纳米晶体管:小而强悍

  •   最早由贝尔实验室在1947年开发的晶体管非常大,以至于可用手直接进行组装。与之形成强烈对比的是,一个针头上就可以容纳超过1亿个22纳米三栅极晶体管。   
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英特尔发布3D晶体管技术 助推22纳米明年量产

  •   英特尔公布重大技术,下一代处理器基于3D晶体管。那么,3D晶体管的精确定义及其重要性是什么呢?下面我们对此作出解答。   3D的确切含义是什么?   英特尔称之为3D晶体管,但从技术上讲,这是三门晶体管。传统的二维门由较薄的三维硅鳍所取代,硅鳍由硅基垂直伸出。   何谓硅鳍?   门包裹着硅鳍。硅鳍的三面都由门包裹控制,顶部包裹一个门,侧面各包裹一个门,共包裹三个门。2D二维晶体管只有顶部一个门包裹控制。英特尔对此解释简单明了:“控制门增加,晶体管处于‘开&rsqu
  • 关键字: Intel  3D晶体管  22纳米  
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